产品类型：MOSFET
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：16A
　　脉冲漏极电流（IDM）：69A
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：5.3mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@2.5V VGS：7.1mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@1.8V VGS：9.5mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型值1.5V，范围1.0V~2.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值1040pF
　　输出电容（Coss）：典型值440pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值95pF
　　栅极电荷（Qg）@4.5V：典型值10nC
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值7ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值25ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：PowerPAK SO-8L
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　热阻结到环境（RθJA）：典型值40°C/W
　　热阻结到外壳（RθJC）：典型值3.5°C/W

MKS3P采用Vishay先进的TrenchFET?沟槽技术，这种垂直结构的MOSFET设计显著降低了单位面积下的导通电阻，从而提升了整体效率并减少了功率损耗。其超低的RDS(on)值在低电压应用中表现尤为突出，例如在3.3V或5V供电系统中作为同步整流器使用时，能够有效减少发热，提高能效。
　　该器件在VGS低至1.8V时仍能保持良好的导通特性，使其非常适合用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，如微控制器I/O口控制负载开关或小型电机启停。同时，较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss）确保了快速的开关响应，有助于降低开关损耗，提升高频工作的稳定性。
　　MKS3P的PowerPAK SO-8L封装去除了传统引线框架中的焊线连接，采用铜夹片（copper clip）技术将源极直接连接到封装顶部，大幅增强了散热能力和电流传输效率。这种结构不仅提高了热循环可靠性，还降低了寄生电感，有利于抑制开关过程中的电压振荡和电磁干扰（EMI）。
　　器件具备优良的雪崩能量承受能力，在非重复条件下可承受一定的过压冲击，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于严苛环境下的工业控制、汽车电子辅助系统等应用领域。
　　所有参数均经过严格测试和筛选，保证批次一致性，便于大规模自动化生产中的焊接与装配。结合其小型化尺寸（约5mm×6mm），MKS3P在空间受限的设计中具有明显优势，是替代传统TO-252或DPAK封装MOSFET的理想选择。

MKS3P广泛应用于各类需要高效、快速开关响应的低压大电流功率控制电路中。常见用途包括同步降压转换器中的上管或下管，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计，为CPU、GPU或ASIC提供稳定的供电支持；在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，常用于电池充放电管理回路和负载开关控制。
　　在电机驱动方面，MKS3P可用于小型直流电机、步进电机的H桥驱动电路中，实现正反转和调速功能，适用于打印机、扫描仪、无人机舵机等设备。其低导通电阻减少了发热，延长了设备运行时间。
　　在电源管理系统中，该器件可用作热插拔控制器或冗余电源切换开关，提供快速响应的过流保护和软启动功能。同时，在LED照明驱动、DC-DC模块电源、适配器次级侧同步整流等应用中也有出色表现。
　　由于其具备良好的高温工作能力和可靠性，MKS3P也被用于部分车载电子系统，如车身控制模块、车灯驱动、风扇控制等非主驱类应用场景。此外，在工业自动化设备、PLC输入输出模块、传感器供电隔离等领域也得到广泛应用。其表面贴装特性兼容回流焊工艺，适合高密度PCB布局和自动化生产线。

SiSS10DN, EUP3463, AON6240, FDMC86128, IPB030N03LC