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MK60DN512VLL10R 发布时间 时间:2025/7/18 18:51:16 查看 阅读:10

MK60DN512VLL10R 是由 NXP(恩智浦)公司推出的一款基于ARM Cortex-M4内核的32位微控制器,属于Kinetis K60系列。该芯片具有高性能、低功耗和丰富的外设接口,适用于工业控制、汽车电子、智能家电、医疗设备等多种嵌入式应用领域。

参数

制造商:NXP Semiconductors
  系列:Kinetis K60 Series
  核心:ARM Cortex-M4
  主频:100MHz
  闪存:512KB
  RAM:128KB
  封装:144-LQFP
  工作电压:1.71V ~ 3.6V
  工作温度:-40°C ~ 85°C
  I/O引脚数量:116
  ADC:24通道,16位
  DAC:无
  定时器:6个定时器(包括PIT、TPM、PWM等)
  通信接口:USB、CAN、SPI、I2C、UART、SDHC

特性

MK60DN512VLL10R 微控制器基于ARM Cortex-M4内核,具备高效的32位处理能力,支持浮点运算单元(FPU),可满足复杂的控制和信号处理需求。其100MHz的工作频率为实时控制应用提供了强有力的保障。芯片内置512KB的Flash存储器和128KB的SRAM,为程序存储和数据缓存提供了充足的容量。
  在模拟外设方面,MK60DN512VLL10R 配备了多达24通道、精度高达16位的ADC模块,支持多种输入模式和自动扫描功能,非常适合需要高精度数据采集的应用场景。此外,该芯片还提供丰富的定时器资源,包括通用定时器(PIT)、可编程间隔定时器(TPM)和PWM模块,可用于实现复杂的波形生成和定时控制。
  通信接口方面,MK60DN512VLL10R 支持多种标准通信协议,包括高速USB、CAN、SPI、I2C、UART和SDHC等,满足了工业现场总线通信和外部设备连接的需求。其USB接口支持全速(12Mbps)和低速(1.5Mbps)模式,并具备内置的收发器,减少了外围电路的设计复杂度。
  此外,MK60DN512VLL10R 具备低功耗设计,支持多种低功耗运行模式,如Wait、Stop和Very Low Leakage(VLLS)模式,可有效延长电池供电设备的续航时间。同时,该芯片的封装形式为144-LQFP,提供了116个可编程I/O引脚,方便用户进行多路信号控制和扩展。

应用

MK60DN512VLL10R 主要适用于工业自动化控制系统,例如PLC、电机控制、传感器网络等应用场景。由于其丰富的外设接口和高性能的处理能力,也广泛用于汽车电子中的车身控制模块、车载娱乐系统和车载诊断系统。此外,该芯片还可用于智能家电、智能家居控制中心、医疗监测设备以及便携式仪器仪表等产品中。
  在工业控制方面,MK60DN512VLL10R 可用于实现高精度的电机控制、温度监测和数据采集系统。其强大的ADC模块和PWM输出功能,能够支持复杂的闭环控制算法。在汽车电子应用中,该芯片的高可靠性和宽温工作范围(-40°C ~ 85°C)使其非常适合用于车身控制系统、车灯控制和车载充电管理等场景。
  另外,由于MK60DN512VLL10R 支持USB和CAN总线接口,因此也非常适合用于工业通信网关、远程监控终端和自动化测试设备等需要高速数据传输的应用。其低功耗特性也使其成为便携式测量仪器和电池供电设备的理想选择。

替代型号

MK60DN512ZLL10R, MK60FN1M0VLL12R, MK64FN1M0VDC12R

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MK60DN512VLL10R参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥96.64657卷带(TR)
  • 系列Kinetis K60
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 核心处理器ARM? Cortex?-M4
  • 内核规格32 位单核
  • 速度100MHz
  • 连接能力CANbus,EBI/EMI,以太网,I2C,IrDA,SD,SPI,UART/USART,USB,SB OTG
  • 外设DMA,I2S,LVD,POR,PWM,WDT
  • I/O 数66
  • 程序存储容量512KB(512K x 8)
  • 程序存储器类型闪存
  • EEPROM 容量-
  • RAM 大小128K x 8
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)1.71V ~ 3.6V
  • 数据转换器A/D 33x16b; D/A 1x12b
  • 振荡器类型内部
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳100-LQFP
  • 供应商器件封装100-LQFP(14x14)