类型：PNP
　　最大集电极电流（IC）：1 A
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：60 V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：60 V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　最大功耗（PD）：1.5 W
　　直流电流增益（hFE）：40 至 250（典型值取决于工作点）
　　饱和电压（VCE(sat)）：典型值0.3 V（在IC = 500 mA, IB = 50 mA条件下）
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-223
　　安装类型：表面贴装（SMD）

MJE2955TL-TN3-R晶体管具备多项关键性能优势，使其在中等功率模拟与数字电路中表现出色。首先，其采用的硅外延基工艺确保了器件在高温和高电压环境下仍能保持稳定的电气特性，显著提升了长期运行的可靠性。其次，该器件拥有较高的直流电流增益（hFE），通常在40至250之间，具体数值取决于偏置条件，这使得它在信号放大和线性驱动应用中能够以较小的基极驱动电流控制较大的负载电流，从而提高系统效率并降低前级驱动电路的设计复杂度。
　　另一个重要特性是其较低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)），在典型测试条件下可低至0.3V左右。这一特性对于减少导通损耗至关重要，特别是在用作开关元件时，能够有效降低功率耗散，提升能效，同时减轻散热设计压力。此外，该晶体管的最大功耗可达1.5W，并得益于SOT-223封装内置的金属散热片，热阻相对较低，允许器件在紧凑空间内安全运行而不会因过热导致性能下降或损坏。
　　频率响应方面，MJE2955TL-TN3-R的过渡频率（fT）达到250MHz，表明其具备一定的高频工作能力，适用于音频放大或高速开关等对响应速度有要求的应用。尽管其主要定位并非高频射频领域，但在大多数中频控制系统中仍能提供良好的动态响应表现。此外，该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，使其能够在极端环境温度下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子及户外设备等严苛应用场景。
　　从制造和环保角度看，MJE2955TL-TN3-R符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代自动化贴片生产线的需求。其SOT-223封装体积小巧，节省PCB布局空间，同时引脚排列便于自动装配，有利于提升生产效率和产品一致性。综合来看，该器件在性能、可靠性、热管理和环保合规性方面均达到了较好的平衡，是许多中功率电子设计中的理想选择。

MJE2955TL-TN3-R广泛应用于多种中等功率电子系统中，尤其适合作为开关或线性放大元件使用。在电源管理系统中，常用于DC-DC转换器的驱动级、低压差稳压器（LDO）的调整管或电池充放电控制电路，利用其高电流增益和低饱和压降实现高效的能量传递与调节。在电机控制领域，该晶体管可用于小型直流电机的方向切换或启停控制，作为H桥电路中的低端或高端开关元件，在家电、电动工具和自动化设备中发挥重要作用。
　　此外，该器件也常见于各类负载开关电路，例如LED照明驱动、继电器驱动或加热元件控制，能够通过微控制器输出的小信号直接控制较大电流负载的通断，简化系统架构并增强隔离安全性。在工业控制系统中，MJE2955TL-TN3-R可用于传感器信号调理、光电耦合器输出级放大或PLC模块中的接口驱动，凭借其宽温度范围和良好稳定性保障系统长期可靠运行。
　　在消费类电子产品中，如电视机、音响设备、电源适配器等，该晶体管可用于音频输出级预放大、待机电源控制或过流保护电路，满足多功能集成化设计的需求。由于其SOT-223封装具有良好的热传导性能，也可用于便携式设备中的热敏感区域，避免局部过热影响周边元器件。此外，在汽车电子系统中，虽然非专门车规级型号，但部分次级功能模块如车灯控制、风扇驱动或车载充电器中仍有应用潜力，前提是工作条件在其额定参数范围内。总体而言，该晶体管因其通用性强、性价比高、易于使用等特点，成为众多嵌入式系统和功率接口设计中的常用器件。

MJE2955T4G
　　MJE2955AL
　　KSC2955TBU