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MJD50T4G 发布时间 时间:2025/6/16 12:15:49 查看 阅读:2

MJD50T4G是一种NPN型的双极性晶体管,广泛应用于开关和放大电路中。该器件具有较高的集电极电流和良好的增益特性,适用于各种电子设备中的功率放大和切换功能。
  该晶体管的工作电压范围较广,能够承受较高的集电极-发射极电压,并且其封装形式为TO-220,适合散热需求较高的应用场合。

参数

集电极-发射极电压:80V
  集电极电流:5A
  功耗:62.5W
  直流电流增益:10-70
  过渡频率:3MHz
  封装类型:TO-220

特性

MJD50T4G晶体管的主要特性包括高电流承载能力、宽工作电压范围以及较低的饱和电压。这使得它非常适合用于驱动大功率负载或在较高电压下工作的电路。
  此外,该器件具备一定的热稳定性,在温度变化较大的环境下仍能保持较好的性能。由于采用了TO-220封装,因此可以轻松安装到带散热片的电路板上,以满足更高的散热要求。

应用

MJD50T4G常用于功率放大器、电机驱动器、电源开关以及其他需要大电流控制的应用场景。
  例如,在音频功率放大器中,它可以作为输出级晶体管来提供足够的功率驱动扬声器;在工业自动化领域,可用于控制继电器、电磁阀等设备的通断状态;同时也可以在开关电源的设计中发挥重要作用。

替代型号

MJE50T4G, 2N6285

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MJD50T4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)400V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 200mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)200µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 300mA,10V
  • 功率 - 最大1.56W
  • 频率 - 转换10MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MJD50T4GOSTR