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MJD45H11T4 发布时间 时间:2025/7/23 21:56:20 查看 阅读:5

MJD45H11T4 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极性晶体管(BJT),属于高功率达林顿晶体管类别。该晶体管设计用于需要高电流增益和大功率处理能力的应用场合。MJD45H11T4 采用 TO-252(也称为 DPAK)表面贴装封装,适合在电源管理和电机控制等高功率应用中使用。

参数

类型:NPN 达林顿晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):100V
  最大集电极电流(IC):5A
  最大功耗(PD):30W
  电流增益(hFE):5000 - 50000(具体取决于测试条件)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

MJD45H11T4 的主要特性之一是其高电流增益能力,这使得它非常适合用于需要高放大倍数的电路中。由于其达林顿结构,该晶体管能够在较低的基极电流下控制较大的集电极电流,从而实现高效的功率控制。
  另一个显著特性是其高耐压能力,集电极-发射极之间的最大电压为100V,使其适用于中高电压应用。此外,该晶体管的集电极电流最大可达5A,能够驱动较大的负载,如继电器、电机和灯泡等。
  该晶体管采用 TO-252 表面贴装封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适合在自动化生产线上使用。这种封装形式也有助于减少PCB板的空间占用,提高整体设计的紧凑性。
  此外,MJD45H11T4 的工作温度范围较宽,可在-55°C至+150°C之间正常工作,适用于各种工业和汽车应用环境。

应用

MJD45H11T4 主要应用于需要高电流增益和大功率处理能力的场合。常见的应用包括开关电源、电机驱动、继电器控制、LED照明系统以及各种工业自动化控制系统。
  在开关电源中,该晶体管可以用作功率开关元件,实现高效的能量转换。在电机驱动电路中,它能够提供足够的电流驱动能力,确保电机的稳定运行。
  在继电器控制方面,MJD45H11T4 可以作为继电器线圈的驱动器,通过较小的控制信号来驱动大电流负载,从而实现对高功率设备的控制。
  此外,该晶体管还常用于汽车电子系统,如车灯控制、风扇电机控制和电动座椅调节系统等。由于其高可靠性和宽工作温度范围,MJD45H11T4 在汽车行业中得到了广泛应用。

替代型号

TIP120, BD679, MJD44H11T4

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MJD45H11T4参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 400mA,8A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 4A,1V
  • 功率 - 最大1.75W
  • 频率 - 转换90MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MJD45H11T4OSDKR