您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MJD45H11

MJD45H11 发布时间 时间:2025/5/12 21:58:52 查看 阅读:21

MJD45H11是一种NPN型双极性晶体管,广泛用于开关和放大应用。它具有较高的电流增益和良好的频率特性,适用于多种电子电路设计,尤其是在功率放大器和电源管理领域。
  该晶体管采用TO-220封装形式,能够提供较大的集电极电流和较高的电压承受能力,同时具备较低的饱和压降,确保在高电流条件下保持高效性能。

参数

集电极-发射极击穿电压:60V
  集电极最大电流:3A
  直流电流增益(hFE):最小值50,典型值100
  功耗:65W
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:TO-220

特性

MJD45H11晶体管的主要特点是其大电流处理能力和出色的散热性能,这使得它非常适合于需要高功率输出的应用场合。
  它的低饱和电压有助于减少功率损耗,并提高整体效率。此外,由于其较高的击穿电压,该晶体管能够在相对较高的电压环境下安全运行。
  MJD45H11还具备快速切换能力,适用于高频电路环境。这种晶体管的高可靠性使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。

应用

MJD45H11晶体管常用于以下领域:
  1. 音频功率放大器中的输出级驱动。
  2. 开关电源中的开关元件。
  3. 继电器和电机驱动电路。
  4. 负载控制和保护电路。
  5. 各种线性调节器及稳压电路。
  由于其出色的电气性能,MJD45H11在汽车电子、家用电器以及通信设备中都有广泛应用。

替代型号

MJE45H11
  2SD1358
  TIP41C

MJD45H11推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MJD45H11资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

MJD45H11参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO5 V
  • 最大直流电集电极电流8 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min60 at 2 A at 1 V
  • 配置Single
  • 最大工作频率90 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252-3 (DPAK)
  • 封装Tube
  • 集电极连续电流8 A
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散20 W
  • 工厂包装数量75