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MJD42C1G 发布时间 时间:2025/6/3 18:43:07 查看 阅读:6

MJD42C1G是一种NPN型大功率晶体管,广泛应用于开关和放大电路中。该器件具有较高的集电极电流能力以及耐压性能,适合于驱动继电器、电机以及其他需要高电流的负载场景。
  其封装形式通常为TO-220,这种封装有助于提高散热性能,从而保证在较高功率下的稳定运行。MJD42C1G因其出色的电气特性、可靠性和成本效益,被众多工程师选作设计中的关键元器件。

参数

集电极-发射极电压(Vce):80V
  集电极电流(Ic):8A
  直流电流增益(hFE):最小值30,典型值70
  功耗(Ptot):65W
  过渡频率(fT):3MHz
  存储温度范围:-55℃至150℃

特性

MJD42C1G具备以下显著特点:
  1. 高电流承载能力,能够处理高达8A的集电极电流,非常适合用于高功率应用场景。
  2. 具备良好的热稳定性,采用TO-220封装增强了散热性能,确保长时间工作下的可靠性。
  3. 直流电流增益处于30到70之间,提供了较为宽泛的工作区间,适用于多种类型的电路设计。
  4. 过渡频率达到3MHz,这意味着它能够在高频条件下保持稳定的开关和放大性能。
  5. 较宽的存储温度范围,使得该晶体管可以在极端环境下正常工作,适应各种工业应用需求。

应用

MJD42C1G主要应用于以下领域:
  1. 开关电源中的功率级驱动器,例如控制大电流负载或实现快速开关功能。
  2. 继电器驱动和电机控制,在工业自动化设备中有广泛应用。
  3. 线性放大器电路,提供高效的信号放大能力。
  4. 在汽车电子系统中,作为驱动元件来控制各类执行机构。
  5. 各种消费类电子产品中的功率管理模块,如家用电器、LED照明等。

替代型号

MJE42C1G, TIP42C

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MJD42C1G参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 600mA,6A
  • 电流 - 集电极截止(最大)50µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)15 @ 3A,4V
  • 功率 - 最大1.75W
  • 频率 - 转换3MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件