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MJD31T4 发布时间 时间:2025/5/30 14:34:20 查看 阅读:5

MJD31T4是一种NPN型大功率晶体管,广泛应用于开关电路、功率放大器以及其他需要处理较高电流和电压的场景中。该器件采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能和电气特性,适用于各种工业控制、消费电子以及汽车电子等领域。

参数

集电极-发射极电压:80V
  集电极最大电流:15A
  功耗:115W
  直流电流增益(hFE):10~70
  集电极-基极电压:80V
  存储温度范围:-55℃至+150℃
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

MJD31T4具有高电流承载能力,适合驱动大功率负载。
  其封装形式为TO-220,能够有效提高散热性能。
  直流电流增益(hFE)在10到70之间,满足多种应用场景需求。
  该晶体管的集电极-发射极电压高达80V,适应较高的电压环境。
  同时,它支持较大的集电极电流(最高可达15A),确保稳定运行。
  由于其较宽的工作结温范围(-55℃至+150℃),可以在恶劣环境下可靠使用。

应用

MJD31T4主要用于开关电路设计,例如继电器驱动、电机控制等。
  此外,它也常见于音频功率放大器中作为输出级晶体管。
  在电源管理方面,可以用于稳压电路或过流保护电路。
  其高可靠性使其成为工业自动化设备、家用电器及汽车电子系统中的理想选择。

替代型号

MJE31T4
  2SD1367
  TIP31C

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MJD31T4参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO5 V
  • 最大直流电集电极电流3 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min25 at 1 A at 4 V
  • 配置Single
  • 最大工作频率3 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252-3 (DPAK)
  • 封装Reel
  • 集电极连续电流3 A
  • 最小工作温度- 65 C
  • 功率耗散1.56 W
  • 工厂包装数量2500