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MJD31CT4G 发布时间 时间:2025/5/8 17:59:46 查看 阅读:9

MJD31CT4G是一种NPN型的双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),广泛应用于开关和放大电路中。该型号具有高增益、低饱和电压以及良好的热稳定性等特点,适用于多种消费类电子产品和工业控制设备中的信号放大与开关功能。
  这款晶体管采用TO-252表面贴装封装形式,具备较小的体积和较高的散热性能,适合自动化生产及空间受限的应用场景。

参数

集电极-发射极击穿电压:60V
  集电极最大电流:1.5A
  连续集电极功耗:2W
  直流电流增益(hFE):100~400
  集电极-发射极饱和电压:0.8V
  工作结温范围:-55℃~150℃
  封装形式:TO-252

特性

1. 高电流增益,能够在较低基极驱动电流的情况下实现较大功率输出。
  2. 较低的饱和电压确保了在开关应用中具有更高的效率和更少的功率损耗。
  3. TO-252封装形式使其易于安装于现代印刷电路板,并支持高效的表面贴装技术(SMT)。
  4. 广泛的工作温度范围使得它能够适应各种恶劣环境下的操作需求。
  5. 稳定可靠的电气性能,适合长期运行在工业环境中。

应用

MJD31CT4G主要应用于以下领域:
  1. 开关电源中的开关器件。
  2. 消费类电子产品的负载驱动,例如继电器、小型电机等。
  3. 音频信号放大器中的前置或后置放大元件。
  4. 工业自动化控制系统中的逻辑电平转换或隔离电路。
  5. LED驱动电路中的电流调节元件。

替代型号

MJD31C, MJD31H, 2N2222A

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MJD31CT4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.2V @ 375mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)50µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)10 @ 3A,4V
  • 功率 - 最大1.56W
  • 频率 - 转换3MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MJD31CT4GOSMJD31CT4GOS-NDMJD31CT4GOSTR