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MJD2955T4G 发布时间 时间:2025/4/30 9:15:27 查看 阅读:5

MJD2955T4G是一款NPN型大功率晶体管,主要用于开关和放大应用。该器件具有较高的电流增益和耐压能力,适用于多种工业和消费类电子产品中的电源管理及信号驱动场景。其封装形式为TO-220,这种封装提供了良好的散热性能,使其能够承受较大的功耗。

参数

集电极-发射极电压(Vce):80V
  集电极电流(Ic):15A
  直流电流增益(hFE):最小值20,典型值70
  总功耗(Ptot):115W
  结温范围(Tj):-55℃至+150℃
  存储温度范围(Tstg):-65℃至+150℃

特性

MJD2955T4G具有高电流承载能力和较高的电压耐受性,这使得它非常适合于需要处理较大功率的应用场合。此外,其封装设计优化了热传导效率,允许在较高环境温度下稳定工作。该晶体管还具备快速的开关速度,可以满足大多数脉宽调制(PWM)和其他高频电路的需求。
  由于采用了先进的制造工艺,MJD2955T4G拥有较低的饱和电压(Vce(sat)),从而减少了导通时的功率损耗并提高了整体效率。同时,其出色的电气性能确保了在各种负载条件下的可靠运行。

应用

MJD2955T4G广泛应用于开关电源、电机驱动器、音频放大器以及其他需要大电流控制的电子设备中。在开关电源领域,它可以作为主开关管或同步整流管使用;在电机驱动方面,这款晶体管能够有效地控制直流电机的速度和方向;而在音频放大器中,则可用于推动扬声器以实现高质量的声音重放。
  此外,由于其优良的热特性和坚固的设计,MJD2955T4G也非常适合户外设备或高温环境下的应用,例如太阳能逆变器、电动车控制器以及工业自动化系统等。

替代型号

MJE2955T
  MJD2955
  2SD1168

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MJD2955T4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)10A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)8V @ 3.3A,10A
  • 电流 - 集电极截止(最大)50µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20 @ 4A,4V
  • 功率 - 最大1.75W
  • 频率 - 转换2MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MJD2955T4GOSMJD2955T4GOS-NDMJD2955T4GOSTR