时间：2023/4/10 10:34:12
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MJD210T4G参数
类型：PNP
集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V)：25
集电极最大电流IC(Max)(A)：5
直流电流增益hFE最小值(dB)：45
直流电流增益hFE最大值(dB)：180
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz)：65
总功耗PD(W)：12.500
封装/温度(℃)：3DPAK/-65~150
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
