MJD122 80/G是一款由ON Semiconductor生产的NPN型功率晶体管,广泛应用于各种电子设备中,如电源管理和放大电路。这款晶体管具备高电流承载能力和良好的热稳定性,适合需要高可靠性和高性能的电路设计。MJD122 80/G的设计使其能够在高电压和高电流条件下工作,适用于需要高功率输出的应用。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流:5.0 A
最大集电极-发射极电压:100 V
最大功耗:30 W
最大工作温度:150 °C
封装类型:TO-220
增益带宽:25 MHz
MJD122 80/G是一款高性能的NPN功率晶体管,具有较高的电流放大系数,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其高功率处理能力使其非常适合用于电源管理和放大电路中的开关应用。该晶体管还具备良好的热稳定性和过载保护能力,确保在高负载条件下仍能保持可靠的工作性能。
此外,MJD122 80/G的封装设计便于安装和散热,适用于各种需要高功率输出的电子设备。它的高可靠性设计使其在工业控制、电源转换和电动机控制等应用中表现出色。这款晶体管在设计上还考虑到了耐用性和长寿命,能够承受恶劣的工作环境,确保电子设备的稳定运行。
MJD122 80/G常用于电源管理、放大器电路、电动机控制和电源转换等应用。其高功率处理能力使其非常适合用于需要高电流和高电压的电子设备中。这款晶体管在工业控制系统中也有广泛应用,用于控制高功率负载,如电动机和继电器。此外,它还适用于需要高可靠性和高性能的电源供应器和电子负载设备。
MJD122T4G, MJD122G, MJD122T4