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MJB44H11T4G 发布时间 时间:2025/5/22 17:51:18 查看 阅读:30

MJB44H11T4G是一种NPN型达林顿晶体管,具有高增益和大电流承载能力。它通常用于需要开关或放大功能的电路中,尤其是在驱动负载(如继电器、电机等)时表现出色。
  该器件采用TO-264封装形式,具备良好的散热性能,适用于各种工业和消费类电子产品中的功率控制和信号放大应用。

参数

集电极-发射极饱和电压:2V
  最大集电极电流:8A
  最大集电极功耗:115W
  直流电流增益(hFE):10000
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  额定电压(VCEO):100V

特性

MJB44H11T4G的主要特点是其高电流增益,这使得它在低输入电流的情况下也能有效驱动高电流负载。
  其次,该晶体管拥有较高的额定电压和电流承载能力,适合于多种高压和大电流应用场景。
  此外,由于采用了TO-264封装,该晶体管具有出色的散热性能,能够长时间稳定运行在较高功率条件下。
  其工作温度范围宽广,适应性强,可以满足大多数环境下的使用需求。

应用

MJB44H11T4G广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于电源开关、电机控制、继电器驱动以及音频功率放大器等。
  在工业领域,它可以用来实现对机械设备的精确控制;在消费类产品中,可用于家用电器的驱动和调节功能。
  此外,由于其大电流处理能力,也常被用作功率级输出元件,例如在LED照明系统或电动汽车充电模块中提供稳定的电流输出。

替代型号

MJD44H11T4G
  MJ11013
  TIP120

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MJB44H11T4G参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)10A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 400mA,8A
  • 电流 - 集电极截止(最大)10µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 4A,1V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MJB44H11T4G-NDMJB44H11T4GOSTR