时间：2025/9/3 3:17:13
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MJ75BX120是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件设计用于高电流、高速开关应用，具备低导通电阻（RDS(on)）的特点，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：75A
最大漏极-源极电压（VDS）：120V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.018Ω
封装类型：TO-263（D2PAK）
MJ75BX120的主要特性包括其低导通电阻，这使其在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具备出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，确保系统的长期可靠性。该MOSFET采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，便于在PCB上安装，并提供良好的散热性能。
此外，MJ75BX120还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。其栅极驱动特性优化，减少了开关损耗，同时降低了电磁干扰（EMI）。在过载或短路情况下，该器件具有一定的耐受能力，有助于提高系统的鲁棒性。
MJ75BX120常用于各种高性能电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器和电源管理模块。它也适用于工业控制系统、电动工具、电动车和电池管理系统等高电流应用领域。此外，该MOSFET还可用于高功率LED照明系统、UPS（不间断电源）和电信电源设备。
IRF1405, SiS434DN, FDS4410A
