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MJ13334 发布时间 时间:2025/9/3 11:24:18 查看 阅读:10

MJ13334是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效能和高可靠性的功率开关应用中。该器件由On Semiconductor制造,设计用于高电压和高电流操作,适用于如电源管理、电机控制和DC-DC转换器等应用。MJ13334采用TO-247封装,确保了良好的散热性能,从而提升了器件的可靠性和寿命。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):12A
  漏极-源极击穿电压(VDS):500V
  栅极-源极阈值电压(VGS(th)):4V(典型值)
  导通电阻(RDS(on)):0.35Ω
  功耗(PD):150W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

MJ13334具有多项优异特性,使其在功率MOSFET市场中占据重要地位。首先,其高漏极-源极击穿电压(VDS)达到500V,使得该器件能够在高电压环境下稳定工作,适用于高压电源系统和工业控制设备。其次,其漏极电流为12A,能够在相对较高的电流下保持稳定运行,适合用于电机驱动和高功率LED照明等应用。
  此外,MJ13334的导通电阻(RDS(on))为0.35Ω,这一较低的导通电阻有助于降低导通损耗,提高系统效率,减少发热,从而提高整体系统的可靠性和使用寿命。器件的栅极-源极阈值电压(VGS(th))为4V,适合使用标准逻辑电平进行驱动,简化了驱动电路设计。
  在封装方面,MJ13334采用TO-247封装,具备良好的热管理和散热能力,适合高功率密度应用。其最大功耗为150W,确保在较高负载条件下仍能保持稳定运行。此外,该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,适应各种严苛的环境条件,适用于工业、汽车和通信设备等领域。

应用

MJ13334主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电路中。常见的应用包括电源管理模块、DC-DC转换器、UPS(不间断电源)、电机控制器、开关电源(SMPS)以及各种工业自动化设备。由于其具备较高的可靠性和稳定性,MJ13334也常用于汽车电子系统,如车载充电器和电动工具驱动电路中。此外,在LED照明系统中,该器件可用于高压直流供电的LED驱动电路,实现高效能和长寿命的照明解决方案。

替代型号

IRF840, FQP12N50, STP12NM50

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