MJ13334 时间：2025/9/3 11:24:18 阅读：21

MJ13334是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的功率开关应用中。该器件由On Semiconductor制造，设计用于高电压和高电流操作，适用于如电源管理、电机控制和DC-DC转换器等应用。MJ13334采用TO-247封装，确保了良好的散热性能，从而提升了器件的可靠性和寿命。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：12A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：500V
　　栅极-源极阈值电压（VGS(th)）：4V（典型值）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

MJ13334具有多项优异特性，使其在功率MOSFET市场中占据重要地位。首先，其高漏极-源极击穿电压（VDS）达到500V，使得该器件能够在高电压环境下稳定工作，适用于高压电源系统和工业控制设备。其次，其漏极电流为12A，能够在相对较高的电流下保持稳定运行，适合用于电机驱动和高功率LED照明等应用。
　　此外，MJ13334的导通电阻（RDS(on)）为0.35Ω，这一较低的导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率，减少发热，从而提高整体系统的可靠性和使用寿命。器件的栅极-源极阈值电压（VGS(th)）为4V，适合使用标准逻辑电平进行驱动，简化了驱动电路设计。
　　在封装方面，MJ13334采用TO-247封装，具备良好的热管理和散热能力，适合高功率密度应用。其最大功耗为150W，确保在较高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种严苛的环境条件，适用于工业、汽车和通信设备等领域。

应用

MJ13334主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电路中。常见的应用包括电源管理模块、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、电机控制器、开关电源（SMPS）以及各种工业自动化设备。由于其具备较高的可靠性和稳定性，MJ13334也常用于汽车电子系统，如车载充电器和电动工具驱动电路中。此外，在LED照明系统中，该器件可用于高压直流供电的LED驱动电路，实现高效能和长寿命的照明解决方案。