MJ10100 时间：2025/9/3 9:13:01 阅读：5

MJ10100是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高功率N沟道MOSFET，适用于需要高效、高电流处理能力的电源管理系统。该器件采用了先进的MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，广泛应用于工业电机控制、电源转换、DC-DC转换器和高功率负载开关等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A（Tc=25℃）
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为9.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：320W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装类型：TO-264
　　晶体管配置：单晶体管

特性

MJ10100具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其极低的导通电阻可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件具有高电流处理能力，能够承受大电流负载而不产生过多的热量，从而提高可靠性。此外，MJ10100采用TO-264封装，具备良好的散热性能，适用于高功率密度应用。该MOSFET还具备快速开关特性，可支持高频操作，减少开关损耗，并提高系统的响应速度。最后，其宽泛的工作温度范围使其适用于各种恶劣环境下的工业和汽车应用。