您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MJ10051

MJ10051 发布时间 时间:2025/9/3 13:48:41 查看 阅读:9

MJ10051是一款高电压、高电流的N沟道功率MOSFET,广泛用于需要高功率密度和高效率的工业应用中。该器件由ON Semiconductor生产,采用TO-264封装,具备优异的热性能和电气性能,适合在高电压和高电流条件下工作。MJ10051主要用于电源转换、电机控制、电动车系统以及工业自动化设备等场合。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):51A
  最大功耗(Pd):250W
  导通电阻(Rds(on)):约0.026Ω(典型值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
  工作温度范围:-55°C~175°C
  封装类型:TO-264

特性

MJ10051具有极低的导通电阻,使其在高电流条件下损耗较小,提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽技术,提供了卓越的开关性能,减少了开关损耗。同时,其高雪崩能量能力确保了在突发电压条件下的稳定性与可靠性。
  MJ10051的封装设计优化了热管理,能够有效散热,延长器件的使用寿命。此外,该MOSFET具有良好的抗过载和短路能力,适用于各种严苛环境下的高可靠性应用。其快速开关特性和低栅极电荷也使得它在高频应用中表现出色,如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。
  在驱动方面,MJ10051的栅极驱动电压范围较宽,通常可在4.5V至20V之间工作,这使其兼容多种驱动电路,包括常见的MOSFET驱动IC。此外,其内置的体二极管可提供反向电流保护,进一步增强了系统的稳定性。

应用

MJ10051常用于高功率开关电源、电动车电机控制器、太阳能逆变器、工业自动化控制系统以及电池管理系统中。此外,它也广泛应用于DC-DC转换器、不间断电源(UPS)和电动工具等高功率电子设备中。

替代型号

IRF1405, FDP10051, FDBL10051

MJ10051推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价