类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：100V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：典型值为0.36Ω（在VGS=10V时）
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK等

MJ10045的主要特性之一是其优异的导通性能，导通电阻RDS(ON)较低，通常为0.36Ω，这使得在导通状态下功耗更低，效率更高。此外，该MOSFET具有高耐压能力，漏极-源极电压最大可达100V，适合用于中高压电源转换系统。
　　MJ10045还具有良好的热稳定性和过热保护能力，能够在高负载和高温环境下保持稳定运行。其最大功耗为50W，支持在高电流条件下长时间工作。此外，器件的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适用于工业级应用环境。
　　该MOSFET的栅极-源极电压范围为±20V，具有较高的驱动灵活性。在实际应用中，可以通过较低的驱动电压（如10V）来实现较低的导通电阻，从而减少开关损耗并提高整体效率。MJ10045的封装形式包括TO-220和D2PAK，便于在不同的PCB布局中进行安装和散热管理。
　　此外，MJ10045具有快速的开关特性，能够实现高频操作，适用于需要高速开关的电源转换器和DC-DC变换器。其低栅极电荷（Qg）特性有助于降低开关损耗，提高系统的整体能效。

MJ10045广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等。其高耐压能力和低导通电阻使其成为高效电源设计的理想选择。
　　在工业自动化和控制系统中，MJ10045可用于电机驱动、继电器控制以及电源保护电路。由于其良好的热稳定性和高可靠性，该MOSFET也适用于长时间运行的工业设备和自动化机械。
　　此外，MJ10045还可用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及UPS（不间断电源）等新能源相关应用。在这些系统中，MJ10045能够提供高效的能量转换和稳定的开关性能，确保系统的可靠运行。

STP10NK100Z, FDPF10N100, IRF150