制造商: Microsemi Corporation（现为L3Harris Technologies的一部分）
　　类型: 射频功率晶体管
　　频率范围: 1200 MHz
　　最大工作电压: 50V
　　最大输出功率: 490W（连续波模式）
　　增益: 26 dB（典型值）
　　效率: 70%以上（典型）
　　封装类型: TO-247（全铜散热片）
　　工作温度范围: -55°C至+150°C
　　热阻: 0.45°C/W（结到外壳）

MIXG490PF1200TSF具备一系列优异的电气和热性能，适用于苛刻的射频功率放大应用。该器件采用先进的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）工艺制造，确保在高频率下仍具有良好的增益和输出功率。晶体管内部集成了高稳定性的栅极结构，以提高线性度和抗干扰能力，适用于数字通信系统中的高阶调制格式。此外，MIXG490PF1200TSF的封装设计优化了散热性能，使得在高功率操作时仍能保持较低的结温，从而延长器件寿命。
　　该器件还具备良好的输入匹配特性，减少了外部匹配网络的复杂度，降低了设计难度和成本。其高效率特性使得电源消耗更少，有助于减少系统整体的热量生成，提高能源利用效率。MIXG490PF1200TSF在设计上也考虑了可靠性，能够在高负载条件下稳定运行，适用于长时间工作的高要求应用环境。

MIXG490PF1200TSF广泛应用于多个高功率射频系统中，包括移动通信基站（如CDMA、WCDMA、LTE等）、广播发射器（如FM广播和电视发射器）、工业与科学射频设备（如射频加热和等离子体发生器）以及测试和测量设备。在通信基础设施中，该器件可用于基站的功率放大器模块，提供高效率和高可靠性的信号放大能力。在广播系统中，MIXG490PF1200TSF能够支持高功率输出，确保信号覆盖范围广且稳定。此外，该晶体管也可用于军事和航空航天领域的射频发射系统，满足高可靠性和宽温度范围的工作需求。

MRF6VP20250, NXP的LDMOS晶体管如BLF888B