额定电压：1200V
　　额定电流：450A
　　功率类型：SiC MOSFET
　　封装类型：QF（Quad Flat）
　　工作温度范围：-40°C 至 +175°C
　　导通电阻：典型值约 15mΩ
　　短路耐受能力：600A（10μs）
　　封装尺寸：具体数值请参考数据手册
　　重量：约 180g

MITH450QF1200LP 模块的核心技术是基于碳化硅（SiC）材料的 MOSFET 器件，相较于传统的硅基 IGBT 模块，它具有更低的开关损耗和导通损耗，从而显著提高系统的整体效率。
　　此外，该模块具有更高的工作温度耐受能力，使得散热系统的设计更加灵活，同时也提高了器件在高温环境下的可靠性。
　　由于碳化硅材料的宽禁带特性，该模块在高电压应用中表现出更优异的性能，包括更高的击穿电压和更低的漏电流。
　　其封装设计采用了高绝缘性能的材料和结构，确保在高压应用中的安全性与稳定性。
　　模块内部结构优化，减少了寄生电感，从而提高了开关速度并降低了电磁干扰（EMI）。
　　适用于高频开关应用，有助于减小系统的体积和重量。

该模块广泛应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中，例如：
　　1. 电动汽车（EV）充电设备：由于其高效率和高功率处理能力，特别适合用于直流快速充电桩。
　　2. 工业电机驱动：用于高性能变频器和伺服驱动器，提升能效和动态响应。
　　3. 可再生能源系统：如太阳能逆变器和风力发电变流器，提高能量转换效率。
　　4. 轨道交通：用于高铁和城市轨道交通的牵引变流系统，提升系统可靠性和效率。
　　5. 储能系统：用于电网级储能系统中的功率变换装置，提高系统的整体效率和响应速度。

CMF1200S-65A（Cree/Wolfspeed）、IMZ120R045M1H（Infineon）、SCT3045KL（ROHM）、STH300N120DF（STMicroelectronics）