类型：LDMOS 射频功率晶体管
　　工作频率：1700 MHz
　　最大输出功率：350 W
　　漏极电压（Vds）：65 V
　　栅极电压范围（Vgs）：-5 V 至 +3 V
　　输入阻抗：50 Ω
　　输出阻抗：50 Ω
　　增益：约 20 dB
　　效率：约 60%
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

MITH350RF1700LP 的主要特性之一是其高效的功率放大能力，能够在 1700 MHz 频率下提供高达 350 W 的输出功率。这种高功率输出使得该器件非常适合用于需要高功率放大的无线通信系统，如蜂窝基站和广播发射机。其 65 V 的漏极电压设计允许在较高的电压下工作，从而提高整体效率和输出功率。此外，该器件具有较高的线性度，这对于现代通信系统中减少信号失真和提高频谱效率至关重要。
　　另一个显著特性是其优异的热管理和可靠性设计。MITH350RF1700LP 采用了先进的封装技术，确保在高功率工作条件下能够有效散热，防止过热损坏。该器件的工作温度范围广泛，从 -40°C 到 +150°C，使其能够在各种环境条件下稳定运行。此外，其坚固的 LDMOS 结构提供了良好的抗失真能力和抗过载能力，延长了器件的使用寿命。

MITH350RF1700LP 主要用于需要高功率射频放大的通信和工业设备中。其典型应用包括蜂窝基站（如 LTE 和 5G 基站）、广播发射机（如调频广播和电视发射机）、工业射频加热系统以及测试和测量设备中的高功率放大器模块。由于其高效的功率放大能力和良好的线性度，该器件也广泛应用于多载波通信系统和宽带射频放大器设计中。

MRF6VP2350H, NTHD350RF1700NT