类型：SiC MOSFET 模块
　　拓扑结构：Dual（双路）
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1700V
　　最大集电极电流（IC）：350A
　　最大工作温度：150°C
　　短路耐受能力：有
　　封装形式：功率模块
　　安装方式：螺钉安装
　　热阻（Rth）：典型值 0.25 K/W
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

MITH350QF1700LP 的核心特性在于其采用了先进的碳化硅（SiC）半导体技术，使其在高频开关应用中表现出色。相比传统的硅基 IGBT 模块，该模块的导通损耗和开关损耗显著降低，从而提高了整体能效。此外，SiC 技术允许在更高温度下运行，提升了模块的热稳定性和可靠性。
　　该模块的 Dual 配置使其适用于多种拓扑结构，如半桥、全桥和三相逆变器等。其高短路耐受能力确保在极端工况下仍能保持稳定运行，适用于要求高可靠性的工业和电力系统。
　　在封装方面，MITH350QF1700LP 采用了紧凑而坚固的功率模块封装设计，便于安装和散热管理。其螺钉安装方式适用于多种散热器配置，确保良好的热传导性能。此外，该模块的热阻较低（典型值为 0.25 K/W），进一步提升了热管理效率。
　　该模块的工作温度范围为 -40°C 至 +150°C，适用于多种环境条件，从工业控制到新能源发电系统均可使用。

MITH350QF1700LP 主要应用于需要高效率、高频开关和高可靠性的电力电子系统中。例如，它常用于工业逆变器、太阳能逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电器（EV Charger）、电能质量调节设备（如UPS）以及大功率 DC-DC 转换器等。
　　由于其高耐压（1700V）和大电流（350A）能力，MITH350QF1700LP 也适用于中高压电机驱动系统，如轨道交通中的牵引变流器和工业伺服驱动器。此外，该模块的高频特性使其成为谐振变换器和软开关拓扑的理想选择，有助于减少无源元件的体积和重量，提高系统功率密度。
　　在新能源领域，MITH350QF1700LP 可用于风电变流器、光伏逆变器以及电池储能系统的功率转换环节。其优异的热管理和可靠性表现，使其能够在恶劣环境条件下长期稳定运行。

CMF350170S-1700V350A、CAS100H170HC1、SKiiP 351GB17E1V1-B12