时间：2025/8/5 14:26:47
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MITH350PF1700LP 是一款高性能的碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（MOSFET），专为高功率、高频应用设计。该器件采用了先进的碳化硅技术，具有优异的导通和开关性能，适用于电动汽车、可再生能源系统、工业电源和电力电子变换器等领域。MITH350PF1700LP 提供了高耐压、低导通电阻以及优异的热管理能力，能够在高温和高压环境下稳定工作。
类型：碳化硅MOSFET
最大漏极电流（Id）：350A
最大漏源电压（Vds）：1700V
导通电阻（Rds(on)）：13mΩ
栅极电压范围：-5V至+20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：双面散热TO-263（D2PAK）
功率耗散：150W
热阻（RthJC）：0.35°C/W
MITH350PF1700LP 采用了先进的碳化硅半导体技术，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，能够在高频下工作，从而提高系统效率并减少能量损耗。其高击穿电压和优异的热稳定性使其适用于高功率密度应用。该器件的封装设计支持双面散热，提高了散热效率，延长了器件的使用寿命。
此外，MITH350PF1700LP 具有较高的短路耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。它的栅极氧化层设计优化，提供了更高的栅极可靠性，并减少了栅极漏电流。这种MOSFET还具备较低的寄生电容，减少了开关过程中的损耗，提高了整体系统的能效。
MITH350PF1700LP 广泛应用于电动汽车的车载充电系统和逆变器、太阳能逆变器、风力发电系统、工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器和高频开关电源等高功率电子设备。由于其优异的导通和开关性能，该器件能够在高频工作条件下提供高效的能量转换，同时减少系统的热损耗和体积。此外，它还适用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统，如数据中心电源、电池储能系统和智能电网设备。
CREE/Wolfspeed C3M0015170D, Infineon IMZA65R015M1, STMicroelectronics SCT3045AW, Rohm SCT3080KE
