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MIR60363T 发布时间 时间:2025/8/29 19:59:10 查看 阅读:13

MIR60363T是一款由MIRAL Electronics制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等高效率、高功率密度的电子系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和优异的热稳定性,适用于中高功率应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):30A(在Tc=25℃时)
  导通电阻(Rds(on)):最大36mΩ(在Vgs=10V时)
  功率耗散(Pd):100W
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

MIR60363T具备多项优异的电气和物理特性,使其在多种电源应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率,尤其适用于高频开关应用。36mΩ的Rds(on)在Vgs=10V时表现稳定,确保在高电流负载下仍能保持较低的温升。
  其次,该MOSFET具有高耐压能力,Vds最大可达60V,适用于多种中压电源系统,如48V电源架构、工业电源和电池管理系统。其栅极电压容限为±20V,增强了栅极驱动电路的兼容性和稳定性。
  此外,MIR60363T采用TO-252(DPAK)封装,具备良好的热管理和散热性能,适用于表面贴装工艺,提高了装配效率和可靠性。该封装形式也支持较大的电流承载能力,适合高功率密度设计。
  该器件的工作温度范围宽达-55℃至175℃,适应各种恶劣工作环境,如工业自动化、车载电子和户外设备等应用场景。

应用

MIR60363T广泛适用于多种高功率、高效率的电子系统中,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化控制系统等。其低Rds(on)和高电流能力使其成为高效电源转换和负载管理的理想选择。此外,在新能源设备、通信电源和服务器电源系统中也有广泛应用。由于其优异的热稳定性和宽工作温度范围,MIR60363T也适用于高温环境下的车载电子设备及工业控制模块。

替代型号

Si7461DP-T1-GE3, IRFZ44N, AO4406A, FDS6680, NTD4859N

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