MIR60363T 时间：2025/8/29 19:59:10 阅读：23

MIR60363T是一款由MIRAL Electronics制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等高效率、高功率密度的电子系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于中高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大36mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

MIR60363T具备多项优异的电气和物理特性，使其在多种电源应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高频开关应用。36mΩ的Rds(on)在Vgs=10V时表现稳定，确保在高电流负载下仍能保持较低的温升。
　　其次，该MOSFET具有高耐压能力，Vds最大可达60V，适用于多种中压电源系统，如48V电源架构、工业电源和电池管理系统。其栅极电压容限为±20V，增强了栅极驱动电路的兼容性和稳定性。
　　此外，MIR60363T采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和散热性能，适用于表面贴装工艺，提高了装配效率和可靠性。该封装形式也支持较大的电流承载能力，适合高功率密度设计。
　　该器件的工作温度范围宽达-55℃至175℃，适应各种恶劣工作环境，如工业自动化、车载电子和户外设备等应用场景。

应用

MIR60363T广泛适用于多种高功率、高效率的电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。其低Rds(on)和高电流能力使其成为高效电源转换和负载管理的理想选择。此外，在新能源设备、通信电源和服务器电源系统中也有广泛应用。由于其优异的热稳定性和宽工作温度范围，MIR60363T也适用于高温环境下的车载电子设备及工业控制模块。