类型：N 沟道
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：120A
　　导通电阻(Rds(on))：3.0mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　

MIP2L30MTSCF 的主要特性之一是其非常低的导通电阻，使其在高电流应用中具有极低的导通损耗。该器件在 10V 栅极驱动电压下的 Rds(on) 仅为 3.0mΩ，有助于提高能效并减少热量产生。此外，该 MOSFET 具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行。
　　另一个关键特性是其热性能优越。采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有良好的热传导性能，使得该器件在高温环境下仍能保持稳定运行。此外，该封装形式具有较小的尺寸，适合空间受限的应用场景。
　　MIP2L30MTSCF 还具有快速开关特性，减少了开关损耗，并提高了整体系统效率。这使其非常适合用于高频开关应用，如同步整流器和 DC-DC 降压转换器。同时，该器件的栅极电荷较低，进一步降低了驱动电路的负载，提高了动态响应能力。
　　在可靠性方面，MIP2L30MTSCF 具有较高的耐用性和较长的使用寿命。其设计支持在极端工作条件下（如高温或高电流）下稳定运行，适用于工业和汽车电子等高要求应用。

MIP2L30MTSCF 主要用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。常见的应用包括汽车电子系统中的 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统和负载开关控制。由于其低导通电阻和高电流能力，它非常适合用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的功率管理模块。
　　在工业领域，该 MOSFET 可用于服务器电源、电信设备和工业自动化系统的功率转换模块。其高频开关能力和低开关损耗使其成为高效电源设计的理想选择。
　　此外，MIP2L30MTSCF 还可用于消费类电子产品中的高性能电源管理模块，如高性能笔记本电脑适配器、大功率 USB-C 电源传输（PD）接口和高功率 LED 驱动器。其紧凑的封装设计也使其适合空间受限的设计，同时提供卓越的热管理性能。
　　该器件也适用于各种电机控制应用，包括无刷直流电机（BLDC）驱动器和电动工具控制系统。其快速开关特性和高电流处理能力使其能够有效驱动高功率电机负载，同时保持较低的功耗和温度上升。

IPD90N03C3-04, NVTFS5C471NL, FDBL0300B10-F085