型号：MIMD10A-7-F
　　制造商：Microchip Technology
　　产品类别：隔离式栅极驱动器
　　通道数：2
　　隔离电压（RMS）：5000 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　最大开关频率：1 MHz
　　传播延迟典型值：55 ns
　　上升时间（典型值）：15 ns
　　下降时间（典型值）：13 ns
　　峰值输出电流：4 A
　　输入逻辑类型：CMOS/TTL 兼容
　　供电电压（VDD1）：3.3V / 5V
　　输出侧供电电压（VDD2）：15V ~ 30V
　　封装类型：SOIC-16（宽体）
　　爬电距离：8 mm
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：150 kV/μs

MIMD10A-7-F具备出色的电气隔离性能，采用Microchip先进的硅基电容隔离技术，在保证高耐压能力的同时实现了卓越的信号完整性。其5kVRMS的隔离额定值和8mm的最小爬电距离使其符合国际安全标准，适用于工业级和医疗级设备中的高压隔离需求。该器件的两个驱动通道完全独立，支持高低边配置或半桥拓扑结构，适用于复杂的功率转换电路。每个通道均可提供高达4A的峰值拉灌电流，足以快速充放电功率器件的栅极电容，从而显著降低开关损耗并提高系统效率。其低传播延迟（典型55ns）和优异的通道间延迟匹配特性（±5ns以内），确保在高频PWM控制下仍能保持精确的时序控制，避免上下管直通风险。
　　该芯片还内置了多种保护机制，包括欠压锁定（UVLO）保护，防止因电源不稳定导致的误开通；同时具备高共模瞬态抗扰度（CMTI ≥ 150kV/μs），可在噪声严重的电磁环境中稳定工作，有效抑制由于快速电压变化引起的误触发问题。输入端兼容3.3V和5V逻辑电平，便于与各种微控制器、DSP或FPGA直接接口，无需额外的电平转换电路。此外，MIMD10A-7-F集成了一个片上DC-DC控制器，可用于驱动次级侧的自举电路或外接变压器，实现单电源供电下的隔离电源生成，大幅减少外部组件数量并节省PCB空间。该器件的工作温度范围宽达-40°C至+125°C，适应恶劣工业环境，并通过AEC-Q100认证，表明其具备汽车级可靠性。综上所述，MIMD10A-7-F在性能、集成度和可靠性方面表现出色，是高端电力电子系统中理想的隔离驱动选择。

MIMD10A-7-F广泛用于需要高隔离等级和高性能驱动能力的电力电子系统中。典型应用包括工业电机驱动器，其中用于驱动三相逆变器中的IGBT或SiC MOSFET模块，确保高效、精准的电机控制；在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-AC转换级的桥式拓扑驱动，支持高频率切换以提升能量转换效率；在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，MIMD10A-7-F凭借其高CMTI和强抗干扰能力，保障在复杂电磁环境下安全可靠地运行；此外，它也适用于不间断电源（UPS）、服务器电源、工业焊接设备以及医疗电源系统等场合。
　　在这些应用中，MIMD10A-7-F不仅能有效隔离主控单元与高压功率部分，防止故障蔓延，还能通过其快速响应特性和低延迟表现优化整个系统的动态性能。特别是在使用宽禁带半导体（如碳化硅SiC和氮化镓GaN）器件的新兴应用中，MIMD10A-7-F的高驱动电流能力和高开关频率支持使其成为理想的匹配驱动器。其紧凑的SOIC-16封装形式也便于在空间受限的设计中部署，而无需牺牲电气隔离性能。因此，无论是追求小型化还是高可靠性的现代电源系统，MIMD10A-7-F都能提供稳健的技术支撑。

MID1200-7-F
　　MID1210-7-F
　　ADuM4223BRIZ