MIC5891YWM 时间：2025/7/26 0:44:07 阅读：11

MIC5891YWM 是一款由 Microchip Technology 推出的高压高边 MOSFET 驱动器，专为驱动 N 沟道功率 MOSFET 和 IGBT 设计。该芯片具有高集成度和优良的抗干扰能力，适用于多种电源转换和电机控制应用。MIC5891YWM 采用 16 引脚 TSSOP 封装，适合需要紧凑设计和高性能的场合。

参数

类型：高边 MOSFET 驱动器
　　电源电压范围：10V 至 100V
　　输出电流：1.2A（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：TSSOP-16

特性

MIC5891YWM 具备多项高性能特性，首先其具备宽输入电压范围，支持从 10V 到 100V 的工作电压，适应多种应用环境。其内部集成了一个自举二极管和欠压保护（UVLO）功能，确保在电源电压不足时能够及时关闭输出，从而保护功率器件不受损坏。
　　此外，MIC5891YWM 具备高驱动能力，输出源电流和吸收电流均为 1.2A，这使得其能够快速驱动大功率 MOSFET，减少开关损耗并提高系统效率。芯片还具备较强的抗干扰能力，能够有效抑制高频噪声，保证在高噪声环境下的稳定运行。
　　该驱动器的传播延迟时间较短，确保了快速响应和精确控制，非常适合用于高频开关应用。其内置的交叉传导保护功能（交叉传导延迟）可以防止上下桥臂直通，提高系统的可靠性和安全性。
　　最后，MIC5891YWM 的封装设计紧凑，采用 16 引脚 TSSOP 封装，便于 PCB 布局和散热设计，适用于空间受限的应用场景。

应用

MIC5891YWM 广泛应用于各种需要高压高边驱动的场合，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、UPS 系统以及工业自动化控制系统。在这些应用中，该芯片能够有效提升系统效率、增强稳定性和可靠性。
　　在电机控制领域，MIC5891YWM 可用于驱动 H 桥电路中的高边 N 沟道 MOSFET，实现电机的正反转控制。在电源转换应用中，该芯片适用于同步整流、升压/降压转换器以及谐振变换器等拓扑结构，帮助实现高效的能量转换。
　　此外，MIC5891YWM 也适用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统，在这些高压高功率场合中，其高耐压能力和稳定性能使其成为理想选择。