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MIC4467YWM TR 发布时间 时间:2025/12/29 16:17:45 查看 阅读:8

MIC4467YWM-TR 是由 Microchip Technology 推出的一款高效、双通道、低边 MOSFET 驱动器 IC,专为驱动高功率 N 沟道 MOSFET 而设计。该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和同步整流等场合。MIC4467YWM-TR 提供了快速的开关性能和较强的驱动能力,适用于高频开关电源系统。

参数

类型:MOSFET 驱动器
  通道数:2
  驱动器类型:低端
  峰值电流:3A
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电压范围:4.5V 至 18V
  导通延迟时间:15ns(典型)
  关断延迟时间:12ns(典型)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:TSSOP-14
  供应商封装:14-TSSOP

特性

MIC4467YWM-TR 是一款高性能的双通道 MOSFET 驱动器,具备多项先进特性,确保其在多种功率转换应用中稳定高效运行。首先,它支持宽输入电压范围(4.5V 至 18V),使其适用于多种电源系统,包括 5V、12V 和 15V 供电的电路。该器件的两个通道能够独立控制,每个通道均可提供高达 3A 的峰值驱动电流,确保能够快速有效地驱动高功率 MOSFET,从而降低开关损耗并提高系统效率。
  该 IC 的导通延迟时间为 15ns,关断延迟时间为 12ns,具备非常快速的响应能力,适用于高频开关电源(如 LLC 谐振变换器、同步整流器等)。这种低延迟特性有助于减少死区时间,提高系统效率,并降低功率器件的热应力。此外,MIC4467YWM-TR 内部集成了防直通保护电路,防止上下桥臂同时导通导致的短路现象,从而提升系统可靠性。
  该器件采用 14 引脚 TSSOP 封装,具有良好的热性能和空间利用率,适用于紧凑型设计。其工作温度范围为 -40°C 至 +125°C,适合工业级环境使用。MIC4467YWM-TR 的输入逻辑兼容 CMOS 和 TTL 电平,便于与各种控制器(如 DSP、FPGA、MCU 或 PWM 控制器)连接。此外,该器件具备较强的抗干扰能力,能够在高噪声环境中保持稳定运行。
  在热管理和可靠性方面,MIC4467YWM-TR 设计有欠压锁定(UVLO)保护功能,当电源电压低于安全阈值时自动关闭输出,防止 MOSFET 在非饱和状态下工作。这有助于防止过热和效率下降,延长功率器件的使用寿命。

应用

MIC4467YWM-TR 主要应用于需要高效驱动 N 沟道 MOSFET 的场合,例如:
  1. **DC-DC 转换器**:适用于同步整流、Buck 或 Boost 转换器等拓扑结构,驱动高边和低边 MOSFET,提高转换效率。
  2. **电机驱动器**:用于控制 H 桥中的 MOSFET 开关,实现电机的正反转和速度调节。
  3. **电源管理系统**:如电池充电器、负载开关和热插拔控制器等应用中,提供快速、稳定的 MOSFET 驱动能力。
  4. **工业自动化设备**:包括 PLC、伺服驱动器和工业控制模块,用于增强系统的响应速度和稳定性。
  5. **服务器和通信电源**:用于高密度电源模块中,满足高效率和高频率运行的需求。
  6. **电动汽车(EV)与充电桩**:在功率转换模块中,实现高效的能量传输和管理。

替代型号

MIC4467YM-TR, TC4467EOA-TR, FAN3240TMYC-TR, NCP4467AMNTWG

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MIC4467YWM TR参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型与非
  • 延迟时间35ns
  • 电流 - 峰1.2A
  • 配置数4
  • 输出数4
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 18 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装16-SOIC
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MIC4467YWMTRMIC4467YWMTR-ND