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MIC4429BM TR 发布时间 时间:2025/8/11 5:17:53 查看 阅读:17

MIC4429BM TR 是一款由 Microchip Technology 推出的双通道、高速、低侧 MOSFET 驱动器集成电路,专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 设计。该芯片具有高驱动能力和出色的热稳定性,适用于各种电源转换和电机控制应用。

参数

封装类型:SOIC-8
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  电源电压范围:4.5V 至 18V
  输出电流(峰值):1.2A(典型值)
  传播延迟:15ns(典型值)
  输入逻辑类型:TTL/CMOS 兼容
  

特性

MIC4429BM TR 具备多项关键特性,使其在高性能电源系统中表现出色。首先,其双通道结构允许独立控制两个外部功率晶体管,从而提高系统的灵活性和效率。每个通道均具备 1.2A 的峰值输出电流能力,能够快速驱动高栅极电荷的功率器件,减少开关损耗。此外,该芯片的传播延迟极低,典型值仅为 15ns,确保了精确的时序控制和高频操作能力。
  在保护功能方面,MIC4429BM TR 集成了交叉传导保护机制,防止上下桥臂同时导通,从而避免短路和损坏功率器件。同时,该器件采用先进的 BiCMOS 工艺制造,具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于严苛的工作环境。其 TTL/CMOS 输入逻辑兼容性使得它可以与多种控制器或处理器接口,简化系统设计。
  此外,MIC4429BM TR 的封装为 8 引脚 SOIC,具备良好的散热性能和空间利用率,适合高密度 PCB 布局。该芯片还具备宽工作电压范围(4.5V 至 18V),适用于多种电源架构,包括同步整流、DC-DC 转换器、H 桥驱动和电机控制等应用。

应用

该芯片广泛应用于各类高频电源转换系统,如同步降压变换器、升压变换器、全桥和半桥拓扑结构、电机驱动器以及功率因数校正(PFC)电路。由于其高驱动能力和可靠性,MIC4429BM TR 也常见于工业自动化、通信电源、UPS 系统、电池充电器和电动汽车电源管理系统中。

替代型号

Si8241BB-D-ISR, TC4429CPA, IR2110S

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MIC4429BM TR参数

  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型反相
  • 延迟时间18ns
  • 电流 - 峰6A
  • 配置数1
  • 输出数1
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 18 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MIC4429BMTRMIC4429BMTR-ND