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MIC4422YM-TR 发布时间 时间:2025/7/25 23:04:55 查看 阅读:6

MIC4422YM-TR是一款由Microchip Technology生产的高性能双通道MOSFET驱动器芯片。该芯片设计用于驱动N沟道和P沟道MOSFET,适用于各种功率转换和电机控制应用。MIC4422YM-TR采用10引脚MSOP封装,具备宽工作电压范围和高驱动能力,能够在高频条件下稳定工作。其内置的保护功能包括欠压锁定(UVLO)和热关断(OTP),可有效防止芯片在异常条件下受损。

参数

供电电压范围:4.5V至18V
  输出驱动电流:峰值电流可达1.2A(典型值)
  工作频率:支持高达1MHz以上的开关频率
  输入逻辑电平:兼容3.3V和5V逻辑信号
  导通延迟时间:约50ns(典型值)
  关断延迟时间:约30ns(典型值)
  输出电压范围:0V至VDD
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装类型:10引脚MSOP

特性

MIC4422YM-TR具有多种特性,使其适用于高要求的功率电子应用。首先,其双通道输出设计允许独立控制两个MOSFET,使得其在半桥或全桥拓扑结构中表现出色。其次,芯片内部集成的高低边驱动器支持高侧MOSFET的自举供电方式,简化了外围电路设计。此外,MIC4422YM-TR具备良好的抗干扰能力,能够在高噪声环境中稳定运行。
  该芯片的驱动能力强,能够快速充放电MOSFET栅极电容,从而降低开关损耗并提高系统效率。其宽输入电压范围也增强了其在不同应用场景下的适应性,例如在电池供电系统、DC-DC转换器、电机驱动器和工业自动化设备中均能良好工作。MIC4422YM-TR还集成了软启动功能,以减少启动时的冲击电流,提高系统的稳定性。
  在保护功能方面,MIC4422YM-TR内置欠压锁定(UVLO),当供电电压低于设定阈值时会自动关闭输出,防止MOSFET因驱动电压不足而损坏。同时,芯片还具备过温保护(OTP)功能,在温度过高时自动关闭,避免因过热而导致的器件损坏。

应用

MIC4422YM-TR广泛应用于各种需要高效驱动MOSFET的场合。典型应用包括同步整流的DC-DC降压和升压转换器、电机驱动电路、H桥驱动器、电源管理系统以及工业自动化控制系统。其高速驱动能力和宽电压范围使其特别适合用于高频开关电源设计,提高转换效率的同时减小功率元件的尺寸。
  在电机控制领域,MIC4422YM-TR可用于驱动有刷直流电机、步进电机和无刷直流电机的功率MOSFET,实现精确的速度和方向控制。此外,该芯片还可用于LED照明驱动、电池充电器、不间断电源(UPS)等应用中,提供稳定可靠的栅极驱动解决方案。由于其紧凑的封装和优异的热性能,MIC4422YM-TR也适用于空间受限的便携式电子产品中。

替代型号

Si8220BB-D-ISR, IR2110S, TC4420COA, LM5112MMX

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MIC4422YM-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥20.75000剪切带(CT)2,500 : ¥15.58181卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置低端
  • 通道类型单路
  • 驱动器数1
  • 栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电4.5V ~ 18V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH0.8V,2.4V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)9A,9A
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)-
  • 上升/下降时间(典型值)20ns,24ns
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC