时间：2024/7/23 15:20:36
阅读：179
MIC4103和MIC4104是高频100V半桥MOSFET驱动器，具有比MIC4100和MIC4101驱动器更快的关断特性。它们具有24ns的快速传播延迟时间和6ns的驱动器下降时间。低压侧和高压侧栅极驱动器独立控制，匹配范围在3ns以内（典型值）。MIC4103具有CMOS输入阈值，MIC4104具有TTL输入阈值。MIC4103/4包括一个高压内部二极管，用于对高压侧栅极驱动自举电容器充电。一个强大、高速、低功耗的电平移位器为高端输出提供了清晰的电平转换。MIC4103/4的稳健运行确保输出不受电源故障、地下HS振铃或高速电压转换的HS回转的影响。低压侧和高压侧驱动器都提供欠压保护。MIC4103和MIC4104采用8针SOIC封装，工作结温范围为-40°C至+125°C。
高压降压转换器
全桥和半桥电源拓扑
有源箝位正激变换器
双开关正向拓扑
数字控制器接口
非对称、低阻抗输出以10ns的上升时间和6ns的下降时间驱动1000pF负载
自举电源最大电压为118V DC
电源电压高达16V
通过独立输入驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
CMOS输入阈值（MIC4103）
TTL输入阈值（MIC4104）
片上自举二极管
24ns快速传播时间
低功耗
电源欠压保护
典型的2.5Ωpull-up 和1.25Ω pull-down 输出驱动电阻
–40°C至+125°C结温范围
