MIC2558BN 时间：2025/8/12 0:51:44 阅读：25

MIC2558BN 是由 Microchip Technology 生产的一款高效、低电压、双路 N 沟道 MOSFET 理想二极管 IC，主要用于电源管理应用。该器件设计用于替代传统的肖特基二极管，以提高效率并减少功率损耗。MIC2558BN 采用 10 引脚 3mm x 3mm TDFN 封装，适用于需要负载均流和反向电流保护的多种电源系统。

参数

工作电压范围：2.5V 至 28V
　　最大持续漏极电流：每个通道 4A（典型）
　　导通电阻：每个 FET 约 16mΩ
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：TDFN-10（3mm x 3mm）
　　典型静态电流：约 150μA
　　支持外部可调限流（通过外部电阻设置）

特性

MIC2558BN 采用理想二极管控制算法，通过内部 N 沟道 MOSFET 替代传统二极管，显著降低正向压降，提高系统效率。其主要特性包括双通道独立控制、低导通电阻、宽输入电压范围以及可调限流功能。
　　该 IC 支持自动负载均流，适用于冗余电源系统或多路电源合并应用。每个通道都可以独立配置，具备反向电流阻断功能，防止电流从输出端回流至输入端，从而保护电源系统。
　　此外，MIC2558BN 具备良好的热管理能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。其轻载效率优化设计使其适用于电池供电设备和低功耗系统。IC 内部集成了欠压锁定（UVLO）保护和过热关断（OTP）保护，确保在异常条件下自动关闭以避免损坏。

应用

MIC2558BN 常用于需要高效电源切换和负载均流的应用场景，例如服务器电源系统、冗余电源模块、DC-DC 转换器、便携式电子设备、电池充电管理系统以及工业自动化设备。
　　它特别适用于需要双路独立理想二极管控制的电源系统，如双电源切换、热插拔电源管理以及高可用性系统的电源冗余设计。此外，由于其低导通压降和高效率，该 IC 也广泛应用于需要高功率密度和低功耗设计的嵌入式系统。