封装类型：TDFN（3x3）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　通道数量：2
　　最大漏源电压（VDS）：-8V
　　最大漏极电流（ID）：-1.7A（每个通道）
　　栅极驱动电压：1.2V至5.5V
　　导通电阻（RDS(ON)）：每个通道典型值为320mΩ
　　静态电流：典型值为0.6μA
　　控制输入电压：兼容1.2V至5.5V逻辑

MIC2098-2YMTTR 具有多种先进特性，使其在低功耗应用中表现出色。首先，其双P沟道MOSFET结构允许在低电压下工作，支持1.2V至5.5V的宽输入电压范围，适用于多种电池供电系统。该器件的导通电阻非常低，典型值为320mΩ，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，每个通道都具有独立的使能控制引脚（EN1和EN2），允许用户单独控制每个通道的开关状态，实现更精细的电源管理。
　　另一个关键特性是其极低的静态电流，在关断模式下典型值仅为0.6μA，非常适合需要延长电池寿命的便携式设备。该器件还内置了过温保护和过流保护功能，以防止在异常负载条件下损坏。此外，MIC2098-2YMTTR采用小型TDFN封装（3x3mm），节省PCB空间，适用于空间受限的设计。

MIC2098-2YMTTR广泛应用于需要高效电源管理的电子产品中。其典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式医疗设备、电池管理系统和智能传感器。在这些设备中，MIC2098-2YMTTR可用于控制不同的子系统电源，如Wi-Fi模块、蓝牙模块、显示屏背光、音频放大器和外围设备接口等。由于其具备低导通电阻和低静态电流，非常适合用于需要长时间运行并依赖电池供电的系统。此外，该器件也可用于工业控制系统、远程监控设备和低功耗物联网（IoT）节点，以实现精确的电源分配和节能控制。

TPS22916, NCP380, FPF2703, ZXGD3005E6TC