MIC1426BN 时间：2025/12/29 16:12:38 阅读：7

MIC1426BN 是一款由 Microchip Technology 生产的高压、高速双通道 MOSFET 驱动器集成电路。该器件专为驱动 N 沟道功率 MOSFET 而设计，常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其它高频功率转换应用中。MIC1426BN 采用 8 引脚 PDIP 或 SOIC 封装，具有宽工作电压范围（4.5V 至 28V），并且具有低的传播延迟和快速的上升/下降时间，使其适用于高频开关应用。

参数

供电电压范围：4.5V 至 28V
　　输出驱动电流：典型值为 1.2A（峰值）
　　传播延迟：约 40ns（典型值）
　　上升时间：约 15ns（典型值）
　　下降时间：约 10ns（典型值）
　　输入阈值电压：CMOS/TTL 兼容
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-PDIP 或 8-SOIC

特性

MIC1426BN 的主要特性之一是其能够在高工作电压下提供高速驱动能力，确保功率 MOSFET 快速导通和关断，从而减少开关损耗。其传播延迟较低，典型值为 40ns，使得该器件适用于高频开关电源设计。此外，MIC1426BN 的输出驱动电流峰值可达 1.2A，有助于提高 MOSFET 的开关速度并降低导通电阻的影响。
　　该器件的输入具有宽电压兼容性，支持 CMOS 和 TTL 电平输入，使其能够与多种控制器或 PWM 发生器配合使用。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于工业级应用环境。
　　在保护特性方面，MIC1426BN 设计有防止交叉导通的机制，以确保上下桥臂 MOSFET 不会同时导通，从而避免直通电流造成的损坏。同时，该器件具有良好的抗干扰能力，能够在高噪声环境下稳定工作。
　　由于采用 8 引脚封装，MIC1426BN 在 PCB 布局中占用空间小，适合高密度设计。此外，其结构简单，外围电路易于设计，适合工程师快速实现电路原型。

应用

MIC1426BN 主要用于需要高速驱动 N 沟道 MOSFET 的场合，如同步整流 DC-DC 转换器、H 桥电机驱动器、功率因数校正（PFC）电路、半桥和全桥拓扑结构的开关电源等。由于其高速特性和宽电压范围，它也适用于电池供电设备、工业自动化设备、电信电源系统以及 LED 照明驱动电源。
　　在 DC-DC 转换器中，MIC1426BN 可用于驱动上下桥臂 MOSFET，提高转换效率并减少热损耗。在电机控制应用中，该器件可用于 H 桥驱动电路，实现电机的正反转和制动控制。在电源管理系统中，MIC1426BN 也常用于驱动功率 MOSFET 进行负载切换或实现软启动功能。
　　此外，由于其良好的抗干扰能力和宽温工作范围，MIC1426BN 也广泛应用于汽车电子、工业控制和嵌入式系统中的电源管理模块。