时间：2025/9/3 9:47:31
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MHW9187 是一款由 NXP（恩智浦）公司推出的射频功率晶体管（RF Power Transistor），专为高功率射频放大器应用设计。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，适用于无线基础设施、广播系统、工业和医疗射频设备等高要求的场景。MHW9187能够在900MHz频段附近提供高效的功率放大性能，是基站放大器和高功率通信设备中的常用元件。
类型：LDMOS射频功率晶体管
工作频率：典型工作在900MHz频段
输出功率：约180W（峰值）
漏极电压：最大65V
工作电流：典型值约1.2A
封装形式：陶瓷双侧散热封装（Ceramic Flanged Package）
输入阻抗：50Ω
增益：约22dB
效率：约60%
工作温度范围：-40°C至+150°C
MHW9187具有出色的射频性能和高可靠性，其LDMOS技术使其在高频率下仍能保持良好的线性和效率。该晶体管设计用于宽带应用，能够在900MHz频段内提供高功率输出，同时保持低失真和良好的热稳定性。
其高效率特性减少了散热需求，降低了系统的功耗和冷却成本。此外，MHW9187具备良好的抗失真能力和高线性度，适用于需要高信号完整性的通信系统，如蜂窝基站和广播设备。
该器件采用坚固的陶瓷封装，具有良好的热管理和机械稳定性，能够在严苛的环境条件下稳定运行。MHW9187的高耐用性和长寿命使其成为工业级和高可靠性应用的理想选择。
MHW9187广泛应用于无线通信基础设施中，如蜂窝基站的射频功率放大器模块（PAM）、广播发射机、工业加热设备、医疗射频仪器以及测试与测量设备中的高功率射频放大电路。其高功率输出和高效能特性使其成为900MHz频段高功率通信系统的首选器件之一。
MHW9187S, MHW9187A, MRF151G
