类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（Vce）：1200V
　　额定集电极电流（Ic）：150A
　　短路耐受电流（Isc）：300A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）模块
　　导通压降（Vce_sat）：约2.1V（典型值）
　　开关损耗（Eon/Eoff）：Eon=1.5mJ，Eoff=2.2mJ（典型值）
　　热阻（Rth）：0.35°C/W
　　安装方式：螺钉固定
　　绝缘材料：陶瓷绝缘基板

MHW5185具备多项优异的电气和热性能。首先，其高耐压能力（1200V）和大额定电流（150A）使其适用于中高功率应用，如工业变频器和UPS系统。其次，该模块内部集成了多个IGBT芯片和反向并联二极管，优化了功率密度和散热效率。此外，MHW5185采用了低热阻设计，确保在长时间高负载运行下仍能保持较低的温度上升，提高系统的稳定性和寿命。模块还具备良好的短路保护能力，可在极端条件下提供额外的安全保障。其封装设计符合国际标准，便于安装和维护，适用于各种工业环境。
　　MHW5185的开关损耗较低，有助于提高系统的整体能效，减少发热并降低对散热器的要求。此外，该模块具有良好的电磁兼容性（EMC），能够在复杂的电磁环境中保持稳定工作。其封装材料具有优异的绝缘性能和机械强度，能够承受较大的热应力和机械应力，适用于频繁开关操作的场合。

MHW5185广泛应用于工业自动化、电力电子转换系统、电机驱动器、变频器、不间断电源（UPS）、电焊机和电动汽车充电设备等领域。由于其高功率处理能力和优良的热稳定性，MHW5185特别适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备中。

MHW5185-A, MHW5185-DS