时间：2025/9/2 18:10:43
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MHW1304LC 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的高性能、低功耗的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专门设计用于高频率开关应用。这款器件采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），同时具备出色的热稳定性和可靠性，适用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制和电池供电设备等应用场景。MHW1304LC 是一款N沟道增强型MOSFET，具有较高的电流承载能力和优异的开关性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：140A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
功耗（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（表面贴装）
MHW1304LC MOSFET 具有多个显著的技术特性和优势，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。
其次，该器件采用了先进的沟槽结构技术，使得在保持低导通电阻的同时，还具备快速开关能力，适用于高频开关电路。
另外，MHW1304LC 的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V和12V驱动电压，兼容多种PWM控制器和驱动IC，增强了设计灵活性。
MHW1304LC 主要应用于需要高效率、高功率密度和快速开关特性的电源系统中。常见的应用包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源分配系统、服务器电源和工业自动化设备等。
特别是在电动汽车（EV）充电系统、储能系统以及新能源逆变器等高功率应用中，MHW1304LC 凭借其优异的导通特性和热管理能力，成为理想的功率开关器件。
此外，该MOSFET也可用于高性能计算设备和通信基础设施中的电源模块，满足对效率和稳定性的严格要求。
SiS1304NQ, IPB130N10N3 G, IRF1404ZTRPBF
