时间：2025/9/3 17:02:19
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MHPM6B10A60D 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高电流应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供出色的导通性能和开关特性。MHPM6B10A60D 具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于需要高效率和高性能的电力电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：600V
最大漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：0.6Ω
栅极电荷（Qg）：45nC
最大功耗（PD）：75W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
MHPM6B10A60D 功率MOSFET具有多项优异的电气特性，使其在高电压应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。其次，该器件采用先进的沟槽栅极结构，优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，MHPM6B10A60D 具有较高的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。其高耐压能力（600V）和较大的额定电流（10A）使其适用于多种功率转换设备，如电源适配器、电机驱动器和照明系统。
该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，便于安装和散热管理。同时，其较低的栅极电荷（Qg）有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度和效率。MHPM6B10A60D 的设计兼顾了高耐压、低损耗和高可靠性，是一款适用于多种工业和消费类电子产品的高性能功率MOSFET。
MHPM6B10A60D 广泛应用于多种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、电机控制器、LED照明驱动器、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率管理模块。其高耐压和低导通电阻特性使其在需要高效能和高可靠性的场合表现尤为突出。
TK10A60D, IRF840, FQA10N60C, STP10NM60N
