晶体管类型：NPN双极型晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：150V
　　最大集电极电流（IC）：500mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　截止频率（fT）：100MHz
　　增益带宽积（GBW）：100MHz
　　封装形式：16引脚表面贴装（SOP）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

MH100556NJLB的核心特性之一是其高频率性能，能够在高达100MHz的频率下稳定工作，这使其非常适合用于射频放大器和高速开关应用。此外，该器件采用了双极型晶体管阵列设计，集成了多个NPN晶体管，简化了电路设计并减少了外部元件的数量。
　　另一个显著特性是其较高的耐压能力，集电极-发射极电压（VCEO）为150V，这使得该器件可以在较高电压的环境下运行，适用于多种功率电子应用。同时，该器件的最大集电极电流为500mA，支持中等功率级别的操作，适合用于驱动级电路或小型功率放大器。
　　MH100556NJLB的封装形式为16引脚表面贴装（SOP），符合现代电子设备对小型化和高密度封装的需求。该封装形式还具有良好的热性能，有助于散热，提高器件的稳定性和可靠性。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子等对温度要求较高的应用场景。
　　该器件的高可靠性也是其重要特性之一，Mitsubishi Electric作为知名的半导体制造商，确保了MH100556NJLB在长期运行中的稳定性和耐用性，适用于关键任务型系统。

MH100556NJLB广泛应用于射频（RF）放大器电路，特别是在通信设备和无线基础设施中，如基站、无线接入点和射频测试设备。其高频率响应和良好的增益特性使其成为射频信号放大的理想选择。
　　该器件也常用于电源管理电路，如DC-DC转换器和开关电源（SMPS）中的驱动电路。其较高的耐压能力和中等电流承载能力，使其适合用于中功率级别的开关控制和驱动应用。
　　在工业自动化和控制系统中，MH100556NJLB可用于电机驱动、继电器控制以及传感器信号处理电路。其集成化的晶体管阵列设计有助于简化电路结构，提高系统的整体效率和可靠性。
　　此外，该器件还适用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、车身控制模块和车载充电器。其宽工作温度范围和高可靠性确保了在严苛环境下的稳定运行。

MH100556NJLA, MH100557NJLB, 2SC4228, 2SC4226