时间：2025/5/22 17:49:54
阅读：2
MGSF1P02ELT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于各种开关应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理电路。
其封装形式为 LFPAK56E（也称为 D2PAK-3），能够提供卓越的散热性能和可靠的电气连接，同时支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：109A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：1.1mΩ
导通电阻（最大值，Vgs=10V）：1.4mΩ
栅极电荷：87nC
反向恢复时间：10ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
MGSF1P02ELT1G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. 快速开关性能，减少开关损耗。
4. 低栅极电荷和输出电容，有助于实现高效高频操作。
5. 增强的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
7. 提供优异的耐用性和可靠性，支持长时间连续运行。
这款 MOSFET 特别适合需要高效率和高性能的应用场景，同时其紧凑的封装设计使其非常适合空间受限的设计。
MGSF1P02ELT1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. 电机驱动器中的功率级控制。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关和保护电路。
4. 工业设备中的逆变器和转换器。
5. 汽车电子系统中的高边/低边开关。
6. 计算机和通信设备中的 DC-DC 转换器。
由于其强大的性能和可靠性，该器件在工业、汽车和消费类电子产品中均有广泛应用。
MGSF1P02ELT1GK, MGSF1P02ELT1GB
