时间：2025/9/2 16:26:38
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MGM5N50是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、功率转换、电机控制等领域。该器件以其较高的耐压能力和较低的导通电阻特性而受到欢迎。MGM5N50的封装形式通常是TO-220，便于散热和安装在各种电路板上。该MOSFET适用于开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器、负载开关和电池管理系统等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：5A
导通电阻（RDS(on)）：典型值约为1.2Ω
栅极电压范围（VGS）：±20V
最大功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
MGM5N50具备良好的热稳定性和较高的开关速度，使其在高频功率转换应用中表现出色。其导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有较高的击穿电压，能够在高压环境下稳定工作，适用于多种电源管理和功率控制场景。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，适合在需要较高功率耗散的应用中使用。MGM5N50的结构设计优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，确保在高效运行的同时不会产生过多的热量。
此外，该器件具备较强的抗过载能力，在短时间过载情况下仍能保持稳定工作。MGM5N50还具有较高的可靠性，适用于工业级和消费级电子产品。
MGM5N50广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统以及各种功率控制电路中。由于其具备较高的耐压能力和良好的导通特性，该器件也常用于LED照明驱动电路、电源适配器、充电器以及工业自动化控制系统中。
FQP5N50、IRF5N50、STP5NK50Z、2SK2647、2SK1530
