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MGBR30V45C 发布时间 时间:2025/12/27 8:42:56 查看 阅读:11

MGBR30V45C是一款由Micro Commercial Components(MCC)生产的高电压、大电流肖特基势垒二极管,采用TO-220AB封装。该器件专为高效率电源转换系统设计,适用于需要低正向压降和快速开关特性的应用场景。其最大反向重复电压为45V,额定平均整流电流可达30A,具备优异的热稳定性和可靠性,适合在高温环境下运行。MGBR30V45C广泛用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器以及电池充电系统等电力电子设备中。该器件通过优化PN结结构与金属半导体接触工艺,在保证高浪涌电流承受能力的同时,有效降低了导通损耗和开关损耗。此外,其符合RoHS环保标准,并具有良好的抗热冲击性能,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气特性。由于采用了先进的封装技术,MGBR30V45C具备较低的热阻,有助于提升整体系统的能效和长期运行稳定性。

参数

型号:MGBR30V45C
  制造商:Micro Commercial Components (MCC)
  器件类型:肖特基势垒二极管
  最大重复反向电压(VRRM):45V
  最大直流反向电压(VR):45V
  平均整流电流(IO)@ 100°C:30A
  峰值正向浪涌电流(IFSM)@ 8.3ms:200A
  最大正向压降(VF)@ 30A, TJ=125°C:0.62V
  最大反向漏电流(IR)@ 45V, TJ=125°C:10mA
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220AB
  引脚数:2
  安装方式:通孔(Through Hole)
  热阻(RθJC):1.2°C/W

特性

MGBR30V45C的核心优势在于其低正向压降与高电流承载能力的结合,这使其在高功率密度电源系统中表现出色。在典型工作条件下,当正向电流达到30A时,其正向压降仅为0.62V左右,显著低于传统快恢复二极管,从而大幅降低导通损耗,提高系统整体效率。该特性对于DC-DC降压变换器中的续流二极管或同步整流辅助二极管尤为重要,能够有效减少发热,延长系统寿命。同时,由于是肖特基二极管,其载流子输运机制基于多数载流子,不存在少数载流子存储效应,因此具备极快的反向恢复速度,几乎无反向恢复电荷(Qrr ≈ 0),避免了因反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰问题,提升了系统的EMI性能。
  该器件具有高达200A的峰值浪涌电流承受能力,可在瞬态负载或启动过程中提供可靠的保护,防止因电流冲击导致器件损坏。其宽泛的工作结温范围(-65°C 至 +175°C)使其适用于严苛环境下的工业与汽车级应用。TO-220AB封装不仅提供了良好的机械强度,还具备优良的散热性能,配合合适的散热片可实现长时间满负荷运行。此外,器件内部采用铜带键合技术和高纯度硅材料,增强了电流传输能力和热循环耐久性。MGBR30V45C通过AEC-Q101可靠性测试的可能性较高,适合用于车载电源系统。其低热阻(1.2°C/W)意味着每瓦功耗仅使结温上升1.2°C,有利于热管理设计。综合来看,MGBR30V45C在效率、可靠性和热性能方面达到了良好平衡,是中低压大电流整流应用的理想选择。

应用

MGBR30V45C广泛应用于各类高效率电源系统中,尤其适用于输出电压较低但电流较大的直流电源拓扑。它常被用作开关模式电源(SMPS)中的输出整流二极管,特别是在同步整流架构尚未普及或作为辅助整流元件的场合。在服务器电源、通信电源、工业电源等对能效要求较高的设备中,该器件可有效降低能量损耗,提升转换效率。此外,它也适用于DC-DC降压和升压转换器中的续流二极管,利用其快速开关特性和低正向压降来减少环路损耗并抑制电压振荡。
  在太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中,MGBR30V45C可用于直流侧的防反接或旁路保护电路,确保能量单向流动并防止电池反向放电。其高浪涌电流能力使其适合应对突发性负载变化或短路情况下的瞬态冲击。在电动汽车充电桩、车载DC-DC转换器及电池管理系统(BMS)中,该器件同样具备应用潜力,尤其是在48V轻混系统中,45V耐压等级正好匹配系统需求。另外,由于其良好的热稳定性和紧凑的封装尺寸,MGBR30V45C也被用于高密度电源模块和便携式大功率充电器中,在有限空间内实现高效能量转换。总之,凡是需要大电流、低损耗、快速响应的整流功能场景,MGBR30V45C都是一种可靠且高效的解决方案。

替代型号

MBR30H45CT
  STPS30L45CG
  VS-30CPQ045
  IR3045LPBF

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