类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V
　　平均整流电流（IF(AV)）：30A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：300A
　　正向压降（VF）：1.65V（典型值，@ IF = 30A, TJ = 25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：200μA（@ VR = 200V, TJ = 25°C）；可达5mA（@ TJ = 175°C）
　　反向恢复时间（trr）：0ns（无反向恢复电荷）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　热阻抗（RθJC）：约0.4°C/W
　　封装形式：TO-247

MGBR30V200C的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）半导体材料所带来的一系列优异电学与热学性能。首先，该器件具备极低的正向导通压降，在额定电流30A条件下，典型VF仅为1.65V，显著低于传统硅快恢复二极管（FRD），从而大幅降低导通损耗，提高系统能效。
　　其次，作为一款真正的肖特基势垒二极管，MGBR30V200C不存在P-N结的少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间为零，反向恢复电荷（Qrr）几乎为0。这一特性使得它在高频开关应用中不会产生额外的开关损耗和电流尖峰，极大提升了电源转换效率，并有效抑制了电磁干扰（EMI），有助于满足严格的EMI标准。
　　再次，该器件拥有卓越的高温工作能力，最大结温可达175°C，远高于传统硅器件的150°C上限。这不仅允许其在高温环境下可靠运行，还减少了对外部散热系统的依赖，有助于缩小系统体积并降低成本。
　　此外，MGBR30V200C具有极低的温度依赖性，其正向压降随温度变化较小，确保在宽温度范围内保持稳定的电气性能。其反向漏电流虽然随温度升高而增加，但在设计允许范围内，仍优于同类硅器件的整体表现。
　　最后，TO-247封装提供了优良的热传导路径和电气连接能力，支持大电流通过，并便于安装于散热器上，适用于工业级高功率密度设计。综合来看，MGBR30V200C是实现高效、紧凑、高可靠性电源系统的关键元器件之一。

MGBR30V200C因其优异的高频、高效和高温性能，被广泛应用于多种高要求的电力电子领域。在开关模式电源（SMPS）中，常用于PFC（功率因数校正）升压级的续流二极管，替代传统硅快恢复二极管，以降低损耗并提升效率至95%以上。在光伏（PV）太阳能逆变器中，该器件用于直流侧的防反接和能量回馈路径，利用其快速响应和低损耗特性，提高发电系统的整体转换效率。在电动汽车（EV）及充电桩电源模块中，MGBR30V200C可用于车载充电机（OBC）和DC-DC变换器中的整流环节，支持高功率密度和高可靠性运行。在工业电机驱动和变频器系统中，作为IGBT或SiC MOSFET的续流二极管，可显著减少开关应力和热积累，延长系统寿命。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、服务器电源、电信整流器以及高密度工业电源等需要持续高效率运行的应用场景。其高温耐受能力使其特别适合密闭或自然冷却环境下的设备使用。

Cree/CW Sonics CGD30V200A
　　Microchip MICR30V200C
　　ON Semiconductor FFSH30120A
　　STMicroelectronics STPSC30H02CG