型号：MGBR30L60C
　　类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　平均整流电流（IO）：30A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A
　　正向压降（VF）：典型值0.58V（在TC=25°C, IF=30A）
　　反向漏电流（IR）：最大1.0mA（在TC=25°C, VR=60V）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　引脚数：2
　　极性：单通道
　　热阻（RθJC）：约1.2°C/W

MGBR30L60C的核心特性之一是其极低的正向导通压降（VF），这得益于其优化设计的肖特基势垒结构。在30A的大电流工作条件下，典型VF仅为0.58V，远低于传统PN结二极管的0.9V~1.2V水平。这一特性显著降低了导通期间的能量损耗，提升了电源系统的整体效率，尤其在低输出电压、大电流输出的DC-DC变换器中优势明显。例如，在12V转5V或5V转3.3V的同步整流架构中，使用MGBR30L60C可以有效减少发热，提升功率密度。
　　其次，该器件具备优异的热性能和高结温能力，最高工作结温可达+175°C，表明其可在高温环境下长期稳定运行。结合TO-247封装良好的热传导特性，MGBR30L60C可通过外接散热片将热量迅速传递至外部环境，避免因局部过热导致的性能下降或失效。这种高耐热性使其适用于密闭空间或通风不良的工业设备中。
　　第三，MGBR30L60C具有较小的反向恢复时间（trr），虽然肖特基二极管本身属于多数载流子器件，理论上无少子存储电荷，但在实际应用中仍存在寄生电容效应。制造商通过结构优化将反向恢复行为控制在极低范围内，从而减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），有利于提高系统EMC性能。
　　此外，该器件具备较强的抗浪涌能力，可承受高达150A的峰值非重复浪涌电流（IFSM），适用于启动瞬间存在大电流冲击的应用场合，如电机驱动电源或电池充电系统。同时，其反向漏电流在额定电压下控制在1mA以内，确保在待机或轻载状态下功耗较低，满足节能标准。

MGBR30L60C广泛应用于各类高效率电源系统中，尤其是在需要大电流、低电压输出的场景下表现突出。其典型应用包括通信电源中的二次侧整流电路，用于将变压器输出的低压交流电转换为稳定的直流电。在此类应用中，MGBR30L60C凭借其低VF特性可显著降低整流损耗，提升整机效率，满足电信设备对高可靠性和高能效的要求。
　　另一个重要应用领域是DC-DC降压变换器，特别是在服务器电源、数据中心电源模块中作为同步整流的辅助二极管或主整流元件。当与MOSFET协同工作时，MGBR30L60C可在死区时间内提供低阻抗通路，防止电压反冲，同时减少环路损耗。
　　此外，该器件也常用于太阳能微逆变器和储能系统的能量回收回路中，用于防止电池反向放电或实现最大功率点跟踪（MPPT）中的单向导通控制。在电动汽车车载充电机（OBC）和充电桩内部电源模块中，MGBR30L60C因其高电流承载能力和良好热稳定性而被广泛采用。
　　工业自动化设备中的开关电源、UPS不间断电源、焊接设备电源单元等也是其典型应用场景。这些系统通常要求元器件具备高可靠性和长寿命，MGBR30L60C的宽温域和高结温能力正好满足此类需求。同时，其TO-247封装便于安装散热器，适应各种机械结构设计。

MBR30H60CT