时间：2025/12/27 9:04:13
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MGBR20U50是一款高性能的20安培肖特基势垒整流二极管（Schottky Barrier Rectifier），主要用于高效率电源转换系统中。该器件采用先进的平面硅技术制造，具有低正向电压降和高浪涌电流承受能力，适用于多种工业、消费类及通信领域的电源设计。MGBR20U50的额定反向电压为50V，使其特别适合用于低压大电流输出的开关电源、DC-DC转换器以及逆变器等应用场合。其封装形式通常为TO-220AB或类似的大功率塑料封装，具备良好的散热性能和机械强度，能够在较宽的环境温度范围内稳定工作。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代高密度表面贴装和通孔插装工艺。MGBR20U50在设计上优化了热性能与电气性能之间的平衡，能够有效降低系统功耗，提高整体能效，是替代传统快恢复二极管的理想选择之一。
由于其低VF特性，MGBR20U50在大电流导通状态下产生的热量较少，有助于减少散热器尺寸甚至实现无散热器设计，从而降低系统成本并提升功率密度。该器件还具备优良的反向恢复特性，几乎无反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关电路中可显著降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。这使得它在高效节能电源产品中广受欢迎，尤其是在服务器电源、电信设备电源模块、太阳能逆变器和汽车电子系统中有着广泛应用前景。
类型：肖特基势垒二极管
配置：单体
反向电压（VRRM）：50V
平均整流电流（IF(AV)）：20A
峰值浪涌电流（IFSM）：80A
正向电压降（VF）：典型值0.56V @ 10A, 最大值0.68V @ 20A
反向漏电流（IR）：最大值400μA @ 50V, 25°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
热阻（RθJA）：约40°C/W
封装形式：TO-220AB
MGBR20U50的核心优势在于其低正向电压降（VF）特性，这一参数直接决定了器件在导通状态下的功耗水平。在典型的20A工作电流下，其最大VF仅为0.68V，远低于传统PN结二极管和快恢复二极管，这意味着在相同负载条件下，该器件的导通损耗显著降低，提高了整个电源系统的效率。例如，在一个输出电流为20A的DC-DC同步整流应用中，使用MGBR20U50相比普通整流管可节省数瓦的功耗，这对于追求高能效和低温升的设计至关重要。此外，低VF也意味着更少的热量产生，有助于延长周边元件的寿命并提升系统可靠性。
另一个关键特性是其优异的热稳定性与高温工作能力。MGBR20U50的工作结温范围可达-65°C至+175°C，表明其可在极端高低温环境下正常运行，适用于工业控制、户外通信设备等严苛应用场景。其TO-220AB封装结构提供了良好的热传导路径，配合散热片使用时可进一步降低结温，确保长期工作的稳定性。同时，该器件具备较高的浪涌电流承受能力（IFSM=80A），能够耐受短时间内的大电流冲击，如电源启动瞬间或负载突变引起的电流尖峰，增强了系统的鲁棒性。
在高频开关应用方面，MGBR20U50表现出接近理想的开关特性。由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非P-N结，其反向恢复时间极短，反向恢复电荷（Qrr）几乎可以忽略不计。这种特性避免了传统二极管在关断过程中因存储电荷释放而引起的能量损耗和电压振荡问题，从而降低了电磁干扰（EMI）水平，并允许更高的开关频率运行，有利于减小滤波元件体积，提升电源功率密度。此外，该器件的反向漏电流在高温下虽有所增加，但在正常工作范围内仍处于可控水平，设计时可通过合理布局和热管理加以抑制。综合来看，MGBR20U50是一款集低损耗、高可靠性和良好高频性能于一体的先进功率整流器件。
MGBR20U50广泛应用于各类需要高效低压大电流整流的电力电子系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、逆变器、电池充电器以及太阳能光伏系统中的旁路与防反接电路。在通信基站电源模块中，该器件常被用作次级侧整流元件，以实现高效率的能量传递。在工业自动化设备中，它可用于电机驱动器的续流保护回路，提供快速响应和低功耗性能。此外，在汽车电子领域，尤其是新能源汽车的车载充电机（OBC）和辅助电源系统中，MGBR20U50凭借其高结温和高可靠性特点，成为理想的整流解决方案。其紧凑的TO-220封装也便于集成到空间受限的PCB设计中，支持自动化生产和高密度组装。
MBR20H50CT
SB2050
STPS20H50U
VS2050CN
