最大重复反向电压：600V
　　最大正向电流：10A
　　峰值正向浪涌电流：150A
　　正向电压（典型值）：1.75V @ 10A
　　反向漏电流（最大值）：1.0mA @ 25°C
　　反向恢复时间（典型值）：35ns
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +150°C
　　热阻结到壳：2.0°C/W

MGBR10L60C的核心特性之一是其优异的开关性能，这得益于其先进的超快恢复设计。在高频开关电源应用中，二极管的反向恢复行为直接影响系统的效率和EMI表现。MGBR10L60C通过精确控制载流子寿命和电场分布，显著缩短了反向恢复时间（trr ≈ 35ns），从而减少了开关过程中的能量损耗，并抑制了电压尖峰和振铃现象的发生。这种特性使得它非常适合用于硬开关拓扑如PFC（功率因数校正）升压级、LLC谐振变换器副边整流以及反激式电源输出整流。
　　另一个关键优势在于其低正向导通压降（VF ≈ 1.75V @ 10A），虽然相较于真正的肖特基二极管仍偏高，但在600V耐压等级的超快恢复二极管中处于领先水平。低VF意味着更低的导通损耗，有助于提高整体电源转换效率并减少散热需求。结合高达10A的平均正向电流能力，该器件可在中等功率等级（约200W~500W）电源中作为主整流元件使用。
　　热性能方面，MGBR10L60C采用TO-220F封装，具有较低的热阻（Rth(j-c) = 2.0°C/W），能够将芯片产生的热量高效传递至外部散热器，确保长期工作的可靠性和稳定性。其宽泛的工作结温范围（-40°C ~ +150°C）使其适用于严苛工业环境下的应用。同时，器件具备良好的抗浪涌能力，能承受高达150A的非重复峰值电流（IFSM），增强了系统对电网波动或启动冲击的容忍度。
　　从可靠性角度看，MGBR10L60C经过严格的可靠性测试验证，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环试验，确保在长时间运行下参数漂移小、失效风险低。其低反向漏电流（IR ≤ 1.0mA @ 25°C）也有助于降低待机功耗，满足能源效率标准要求。

MGBR10L60C主要应用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在需要高电压阻断能力和良好动态响应的场景下表现出色。常见应用包括AC-DC电源适配器、工业用开关电源（SMPS）、服务器电源单元以及电信设备电源模块。在这些系统中，MGBR10L60C通常被用作输出整流二极管或PFC升压二极管，承担能量传输和电压钳位功能。
　　在功率因数校正（PFC）电路中，尤其是在连续导通模式（CCM）PFC拓扑中，升压二极管必须承受较高的反向电压（通常超过400V直流母线电压）并在高频下频繁开关。MGBR10L60C的600V耐压和35ns的快速恢复时间使其成为理想的候选器件，既能保证安全裕量，又能减少开关损耗，提升系统效率至95%以上。
　　此外，该器件也适用于太阳能光伏逆变器中的直流侧整流与保护电路，用于防止电池反向放电或实现MPPT（最大功率点跟踪）电路的能量回馈路径。其高浪涌电流承受能力（150A）可有效应对光伏阵列在光照突变时产生的瞬态电流冲击。
　　在电机驱动和UPS（不间断电源）系统中，MGBR10L60C可用于续流二极管（freewheeling diode）或钳位二极管，帮助释放感性负载中的储能，防止电压过冲损坏IGBT或MOSFET等主开关器件。其稳定的电气特性和良好的热管理能力确保了系统在重载或异常工况下的安全运行。

STTH10R06D
　　VS-F10GQ060-M3
　　IXYS IXYS DSEI10-06A
　　ON Semiconductor FFPF10U60S