MGA82563TR1G是一款由安森美半导体(onsemi)推出的射频功率放大器模块,主要用于无线通信系统中的射频信号放大。该器件采用了高效的GaAs HBT(异质结双极晶体管)技术,能够在高频段提供高线性度和高输出功率。MGA82563TR1G的工作频率范围覆盖了从1.8 GHz到3.0 GHz的频段,适用于诸如Wi-Fi、WLAN、蜂窝通信(如LTE)等无线基础设施应用。该模块内部集成了偏置电路和输入输出匹配网络,简化了设计流程并降低了外围元件的需求。
工作频率范围:1.8 GHz - 3.0 GHz
输出功率(Pout):+28 dBm @ 2.4 GHz
增益(Gain):约20 dB @ 2.4 GHz
电源电压(Vcc):5V
静态电流(Icq):约220 mA @ 2.4 GHz
输入回波损耗(S11):< -10 dB
输出回波损耗(S22):< -10 dB
封装形式:24引脚QFN
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
MGA82563TR1G具备多项优异的性能特点,首先其采用的GaAs HBT工艺提供了高功率密度和良好的热稳定性,使得该器件能够在较高的工作温度下保持稳定性能。其次,该功率放大器具有较高的线性度,能够在复杂的调制信号下(如OFDM)保持低失真,从而满足高数据速率通信系统的要求。MGA82563TR1G的高增益和高输出功率能力使其适用于需要远距离传输或高信号质量的无线通信系统。
此外,该模块内置的输入和输出匹配网络降低了设计复杂度,减少了外围元件的数量,有助于缩小PCB面积并提升系统集成度。MGA82563TR1G还具备良好的稳定性和抗干扰能力,能够在各种环境下可靠运行,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C)。其5V供电设计也便于与现有电源管理系统兼容,提升了系统的灵活性和可扩展性。
MGA82563TR1G广泛应用于多种无线通信系统中,尤其适合于工作在1.8 GHz至3.0 GHz频段的设备。其主要应用场景包括Wi-Fi接入点、WLAN基站、蜂窝通信系统(如4G LTE基站)、无线中继器、点对点微波通信设备以及测试与测量仪器等。由于其高线性度和高输出功率特性,该器件特别适合用于需要高信号完整性和高传输距离的高性能无线基础设施。此外,MGA82563TR1G也可用于物联网(IoT)网关、智能城市通信节点等需要高可靠性射频前端模块的系统中。
HMC414MSXE, RFPA0408, SKY65111-396LF