工作频率：1.8 GHz 至 3.0 GHz
　　增益：约 17 dB
　　噪声系数：约 0.65 dB
　　输出三阶交调截距（OIP3）：+33 dBm
　　工作电压：5 V
　　工作电流：90 mA（典型值）
　　封装形式：8 引脚 TDFN
　　输入/输出阻抗：50 Ω

MGA412P8TR1G 具有多个关键特性，使其在高频低噪声应用中表现出色。首先，其采用了 GaAs pHEMT 工艺，具备极低的噪声系数（典型值 0.65 dB），适用于高灵敏度接收系统。其次，该放大器提供约 17 dB 的中等增益，能够有效提升微弱信号的强度，同时保持信号的完整性。此外，其输出三阶交调截距（OIP3）达到 +33 dBm，表明其在高信号强度环境下仍能保持良好的线性度，避免信号失真。该器件的工作电压为 5 V，典型工作电流为 90 mA，功耗适中，适用于电池供电或低功耗系统。封装形式为 8 引脚 TDFN，体积小巧，便于 PCB 布局和高频电路设计。该放大器的输入和输出阻抗均为 50 Ω，便于与射频前端电路进行阻抗匹配，简化了系统设计并减少了额外匹配元件的需求。
　　此外，MGA412P8TR1G 内部集成了偏置电路，用户无需额外设计偏置网络，从而降低了设计复杂度和成本。其工作温度范围通常为 -40°C 至 +85°C，适用于各种工业环境。该器件的高稳定性设计使其在多种高频应用中都能保持一致的性能表现，包括蜂窝通信基站、无线接入点、射频测试设备和卫星通信系统等。综合来看，MGA412P8TR1G 是一款高性能、高可靠性的低噪声放大器，广泛适用于现代无线通信系统中的关键射频前端模块。

MGA412P8TR1G 通常用于工作在 1.8 GHz 至 3.0 GHz 频段的无线通信系统中，如 LTE 基站、WiMAX 接入设备、无线回传系统、GPS 接收器前端、测试测量仪器以及卫星通信设备等。该器件的低噪声特性和高线性度使其成为高灵敏度接收机前端的理想选择。此外，它还可用于 5G 射频前端模块、毫米波通信系统、雷达系统以及无线传感器网络等高频应用领域。由于其集成度高、设计简便，MGA412P8TR1G 在需要高稳定性和高性能的射频系统中得到了广泛的应用。

MAX2640、BGA2127、TQM3M7001、AVAGAVA85S30