时间：2025/7/30 22:03:19
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MG90C60是一款高压、高频、大功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模块，通常用于需要高效能和高稳定性的电力电子系统中。该模块由多个MOSFET芯片组成，具备良好的热管理和电气性能，适用于高频率开关应用。MG90C60C60的封装设计便于安装和散热，使其在高功率应用中表现出色。
类型: MOSFET模块
最大漏极电压(Vdss): 600V
最大漏极电流(Id): 90A
导通电阻(Rdson): 0.065Ω（典型值）
工作温度范围: -55°C ~ +150°C
封装类型: 双列直插式（DIP）
绝缘等级: Class H
栅极驱动电压: 10V ~ 20V
短路耐受能力: 10μs @ 600V
MG90C60具有低导通电阻，能够在高电流下保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。
该模块支持高频操作，适用于需要快速开关的应用场景，如电源转换器和逆变器。
MOSFET模块内部集成了多个并联的MOSFET芯片，以提高电流承载能力和热稳定性。
其高绝缘等级和优良的散热设计，使得MG90C60能够在恶劣的环境条件下稳定运行。
此外，该模块具有较强的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性。
MG90C60广泛应用于各种高功率电子设备中，如工业电源、变频器、电机驱动器和UPS（不间断电源）系统。
在电力电子变换器中，该模块用于实现高效的直流-交流或直流-直流转换，适用于太阳能逆变器和电动汽车充电设备。
由于其高频特性和低导通损耗，MG90C60也常用于高频开关电源的设计中，以提升电源转换效率和减小系统体积。
此外，该模块还适用于焊接设备、电镀电源等需要高电流和高稳定性的应用场合。
MG90C60K, MG90C60E, MG90C60N
