时间：2025/5/10 10:05:01
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MG651882-3是一款高性能的功率MOSFET器件，采用N沟道增强型技术设计。该芯片主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。其出色的导通电阻和开关性能使其在高效率和低功耗应用中表现出色。
MG651882-3通过优化的制造工艺实现了较低的导通损耗和开关损耗，同时具备良好的热稳定性和可靠性，能够满足多种工业和消费电子领域的需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.08Ω
栅极电荷：70nC
开关时间：开通延迟时间25ns，关断下降时间45ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，额定电压高达650V，适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能，适合高频开关应用。
4. 栅极电荷小，驱动损耗低，简化驱动电路设计。
5. 具备优异的热稳定性，能够在高温环境下长期可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
MG651882-3广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 太阳能逆变器
4. 电动工具及家电中的功率转换模块
5. LED照明驱动电路
6. 电动车充电设备
IRFZ44N
STP16NF06
FDP16N6
